摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-15页 |
第一章 绪论 | 第15-37页 |
·化学修饰电极的发展 | 第15-18页 |
·化学修饰电极的种类 | 第15-18页 |
·分子自组装修饰 | 第18-20页 |
·自组装膜的结构和特点 | 第18页 |
·自组装膜的形成 | 第18-19页 |
·自组装膜的研究方法 | 第19页 |
·自组装膜在电分析化学中的应用 | 第19-20页 |
·碳纳米管 | 第20-23页 |
·碳纳米管的结构及特性 | 第20-22页 |
·碳纳米管的结构 | 第20-22页 |
·碳纳米管的应用 | 第22-23页 |
·碳纳米管修饰电极及应用 | 第22-23页 |
·化学修饰电极(CME)作为工作电极构建不可逆双安培体系 | 第23-31页 |
·流动注射不可逆双安培法(FI-IB法) | 第23-24页 |
·不可逆双安培法成立的必要条件及理论推导 | 第24-28页 |
·CME作为工作电极在FI-IB中分析 | 第28-29页 |
·本论文研究的目的和内容 | 第29-31页 |
参考文献 | 第31-37页 |
第二章 L-半胱氨酸自组装膜金修饰电极对阿魏酸的电化学行为研究及不可逆双安培测定 | 第37-47页 |
·实验部分 | 第38-39页 |
·仪器与试剂 | 第38页 |
·化学修饰电极流通池的设计与制备 | 第38页 |
·L-CYS/SAM-AU/CME的制备 | 第38-39页 |
·实验方法 | 第39页 |
·结果与讨论 | 第39-44页 |
·L-CYS/SAM-AU/CME的循环伏安行为及阿魏酸的电化学响应 | 第39-40页 |
·L-CYS/SAM-AU/CME对阿魏酸的氧化机理研究 | 第40-41页 |
·L-CYS/SAM-AU/CME上不可逆双安培体系的建立 | 第41-42页 |
·工作电极间外加电位差的影响 | 第42页 |
·载液及其PH值的选择 | 第42页 |
·线性范围和检出限 | 第42-43页 |
·L-CYS/SAM-AU/CME的稳定性和重现性 | 第43页 |
·干扰离子的影响 | 第43页 |
·样品中阿魏酸的测定及加标回收实验 | 第43-44页 |
小结 | 第44-45页 |
参考文献 | 第45-47页 |
第三章 多壁碳纳米管L-半胱氨酸共组装修饰金电极对白藜芦醇的电化学行为研究及测定 | 第47-62页 |
·实验部分 | 第48-50页 |
·仪器与试剂 | 第48-49页 |
·MWCNTS-L-CYS-AU SAMS/CME的制备 | 第49页 |
·实验方法 | 第49-50页 |
·结果与讨论 | 第50-59页 |
·修饰电极制备条件的选择及性能表征 | 第50-52页 |
·L-CYS的浓度及介质对修饰电极的影响 | 第50页 |
·MWCNTS用量对修饰电极形成的影响 | 第50页 |
·MWCNTS-L-CYS-AU SAMS/CME的谱学表征 | 第50-51页 |
·MWCNTS-L-CYS-AU SAMS/CME的电化学行为 | 第51-52页 |
·MWCNTS-L-CYS-AU SAMS/CME上REV的电化学响应 | 第52-54页 |
·MWCNTS-L-CYS-AU SAMS/CME对REV的电催化氧化机理研究 | 第54-55页 |
·MWCNTS-L-CYS-AU SAMS/CME上FI-IB的建立 | 第55-56页 |
·工作电极间外加电位差的影响 | 第56-57页 |
·线性范围和检出限 | 第57页 |
·MWCNTS-L-CYS-AU SAMS/CME电极的稳定性和重现性 | 第57-58页 |
·常见干扰物质的影响 | 第58页 |
·样品中REV的测定及加标回收实验 | 第58-59页 |
小结 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-62页 |
第四章 聚L-苏氨酸铅笔芯修饰电极的制备及对盐酸异丙嗪电化学行为及测定研究 | 第62-73页 |
·实验部分 | 第63-64页 |
·仪器与试剂 | 第63页 |
·聚L-THR铅笔芯修饰电极的制备 | 第63-64页 |
·实验方法 | 第64页 |
·结果与讨论 | 第64-71页 |
·聚合条件的选择 | 第64-66页 |
·L-THR聚合过程及其循环伏安曲线 | 第64-65页 |
·聚L-THR铅笔芯修饰电极的数码显微放大研究 | 第65-66页 |
·聚合底液PH值的影响 | 第66页 |
·聚合循环伏安扫描次数的选择 | 第66页 |
·聚L-THR铅笔芯修饰电极上盐酸异丙嗪的电化学行为研究 | 第66-67页 |
·聚L-THR铅笔芯修饰电极上不可逆双安培体系的建立 | 第67-68页 |
·工作电极间外加电位差的影响 | 第68-69页 |
·体系载液及其PH值的选择 | 第69页 |
·线性范围和检出限 | 第69-70页 |
·聚L-THR铅笔芯修饰电极的稳定性和重现性 | 第70页 |
·常见干扰物质的影响 | 第70页 |
·样品中盐酸异丙嗪的测定及加标回收实验 | 第70-71页 |
小结 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-73页 |
第五章 基于表面活性效应多壁碳纳米管修饰电极不可逆双安培法对双嘧达莫电化学行为的研究及测定 | 第73-87页 |
·实验部分 | 第74-75页 |
·仪器与试剂 | 第74-75页 |
·MWCNTS/GCE-CME的制备 | 第75页 |
·实验方法 | 第75页 |
·结果与讨论 | 第75-84页 |
·MWCNTS/GCE-CME的表征及对DPD的电化学响应 | 第75-78页 |
·表面活性剂对DPD电化学行为的影响 | 第78-79页 |
·支持电解质对DPD的氧化电流的响应 | 第79-80页 |
·修饰剂用量的影响 | 第80页 |
·扫描速度对DPD电极反应的影响 | 第80-81页 |
·MWCNTS/GCE-CME上流动注射-不可逆双安培体系的建立 | 第81页 |
·工作电极间外加电位差的影响 | 第81-82页 |
·线性范围和检出限 | 第82页 |
·碳纳米管膜修饰电极的稳定性和重现性 | 第82页 |
·常见干扰物质的影响 | 第82-83页 |
·样品中DPD的测定及加标回收实验 | 第83-84页 |
小结 | 第84-85页 |
参考文献 | 第85-87页 |
第六章 结论与展望 | 第87-89页 |
·结论 | 第87-88页 |
·展望 | 第88-89页 |
致谢 | 第89页 |