| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-22页 |
| ·课题的背景和意义 | 第9页 |
| ·传感器材料 | 第9-11页 |
| ·气压传感器材料 | 第9-10页 |
| ·气敏传感器材料 | 第10-11页 |
| ·非晶碳薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
| ·碳材料的物理特性及非晶碳薄膜的理论模型 | 第12-21页 |
| ·非晶态半导体的相关知识 | 第12页 |
| ·非晶态半导体中的电子态 | 第12-14页 |
| ·碳材料的能带特点 | 第14页 |
| ·非晶碳膜的相关理论模型 | 第14-21页 |
| ·本论文的主要工作内容 | 第21-22页 |
| 第二章 样品制备及表征方法 | 第22-28页 |
| ·样品的制备 | 第22-25页 |
| ·靶材的制备 | 第22页 |
| ·非晶碳薄膜的制备 | 第22-23页 |
| ·具体实验过程 | 第23-25页 |
| ·样品的结构表征及物性测量 | 第25-28页 |
| ·样品的结构表征测量方法 | 第25-26页 |
| ·样品的电学性能的测量方法 | 第26-27页 |
| ·样品的气压敏感性的测量方法 | 第27页 |
| ·样品的气体敏感性的测量方法 | 第27-28页 |
| 第三章 实验结果分析与讨论 | 第28-49页 |
| ·非晶碳薄膜的电输运特性 | 第28-35页 |
| ·样品制备及实验方法 | 第28页 |
| ·非晶碳薄膜的表征与结构 | 第28-30页 |
| ·不同沉积温度对非晶碳薄膜/硅异质结的I-V 特性的影响 | 第30-32页 |
| ·不同沉积时间对非晶碳薄膜/硅异质结的I-V 特性的影响 | 第32页 |
| ·非晶碳薄膜/硅异质结的整流特性与温度依赖效应 | 第32-35页 |
| ·非晶碳薄膜/硅异质结的气压敏感性 | 第35-43页 |
| ·样品制备及实验方法 | 第35-36页 |
| ·非晶碳薄膜的表征与结构 | 第36-37页 |
| ·气体压强对a-C/Si 异质结电输运性质的影响 | 第37-41页 |
| ·不同沉积气压对a-C/Si 异质结气压敏感性的影响 | 第41-42页 |
| ·不同沉积温度对a-C/Si 异质结气压敏感性的影响 | 第42-43页 |
| ·非晶碳薄膜的气体敏感性 | 第43-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
