| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-14页 |
| ·选题背景 | 第8-9页 |
| ·研究现状 | 第9-12页 |
| ·目前主要的low-k材料 | 第9-10页 |
| ·CN_x薄膜的研究现状 | 第10-12页 |
| ·本论文的研究目的和研究内容 | 第12-14页 |
| 2 CN_x薄膜的制备和表征 | 第14-28页 |
| ·薄膜的制备 | 第14-21页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体增强溅射沉积 | 第14页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体源的原理及特点 | 第14-15页 |
| ·平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射 | 第15-17页 |
| ·实验设备:微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射设备 | 第17-19页 |
| ·靶材和基片处理 | 第19-20页 |
| ·实验的工艺流程 | 第20-21页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第21-28页 |
| ·化学结构表征-傅立叶变换红外光谱 | 第21-22页 |
| ·化学组分表征-X射线光电子能谱 | 第22-23页 |
| ·光学性能-椭偏仪 | 第23页 |
| ·薄膜厚度的表征-台阶仪 | 第23-24页 |
| ·薄膜硬度的表征-纳米压痕 | 第24页 |
| ·薄膜介电性能表征C-V测试仪及快速退火工艺 | 第24-28页 |
| 3 基底无偏压时CN_x薄膜微观结构的分析 | 第28-36页 |
| ·实验 | 第28页 |
| ·XPS检测结果 | 第28-32页 |
| ·红外吸收谱分析 | 第32-34页 |
| ·CNx薄膜折射率与N含量的关系 | 第34页 |
| ·基底无偏压条件下CNx薄膜的介电常数 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 基底偏压对CN_x薄膜的微观结构和宏观性能的影响 | 第36-50页 |
| ·实验 | 第36-37页 |
| ·薄膜沉积速率 | 第37页 |
| ·红外光谱分析 | 第37-40页 |
| ·XPS分析 | 第40-45页 |
| ·CNx薄膜的Ar离子刻蚀深度分析 | 第40-42页 |
| ·不同偏压下CN_x薄膜XPS分析 | 第42-45页 |
| ·薄膜硬度 | 第45页 |
| ·薄膜介电常数 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |