冶金法提纯多晶硅过程中氮化硅涂层的研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
1 绪论 | 第9-33页 |
·立题背景 | 第9-10页 |
·国内外多晶硅材料的生产工艺和发展现状 | 第10-15页 |
·铸造多晶硅中的主要杂质及其对电池性能的影响 | 第15-23页 |
·轻元素杂质对电池性能的影响 | 第16-19页 |
·金属杂质对电池性能的影响 | 第19-23页 |
·防止坩埚对多晶硅铸锭污染的方法 | 第23-31页 |
·新式坩埚 | 第24-25页 |
·无坩埚铸造技术 | 第25-28页 |
·坩埚表面涂层技术 | 第28-31页 |
·本文研究的主要目的及内容 | 第31-33页 |
2 涂层设计与制备 | 第33-41页 |
·概述 | 第33页 |
·涂层材料的选择 | 第33-37页 |
·涂层固体粒子 | 第33-35页 |
·涂层溶剂 | 第35-37页 |
·氮化硅涂层制备及结果分析 | 第37-40页 |
·实验材料和制备方法 | 第37-38页 |
·实验结果分析-悬浊液的优化选择 | 第38-40页 |
·本章小结 | 第40-41页 |
3 氮化硅涂层的脱模效果研究 | 第41-53页 |
·概述 | 第41页 |
·实验设备与实验方法 | 第41-43页 |
·实验设备 | 第41页 |
·实验步骤 | 第41-43页 |
·实验结果与分析 | 第43-52页 |
·宏观脱模效果观察 | 第43-44页 |
·SEM观察铸锭表面形貌 | 第44-47页 |
·熔炼条件对脱模效果影响 | 第47-48页 |
·涂层悬浊液成分对脱模效果影响 | 第48-50页 |
·预烧处理对脱模效果影响 | 第50-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
4 氮化硅涂层对冶金法提纯多晶硅的影响 | 第53-72页 |
·概述 | 第53-54页 |
·实验设备与实验方法 | 第54-56页 |
·实验设备与材料 | 第54-55页 |
·实验步骤 | 第55-56页 |
·实验结果 | 第56-66页 |
·铸锭组织观察和ICP成分结果 | 第56-59页 |
·SEM和EPMA观察断面形貌和成分 | 第59-65页 |
·少数载流子寿命分析结果 | 第65-66页 |
·实验分析与讨论 | 第66-71页 |
·氮化硅涂层反应机制研究 | 第66-67页 |
·氮化硅涂层对杂质的扩散及其沉淀的影响 | 第67-69页 |
·氮化硅涂层对多晶硅组织的影响 | 第69-70页 |
·氮化硅涂层对多晶硅电学性能影响 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
结论 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-80页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第80-81页 |
致谢 | 第81-82页 |