| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-52页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·聚合物太阳能电池 | 第11-37页 |
| ·有机太阳能电池的基本原理 | 第13-16页 |
| ·太阳能电池的表征参数 | 第16-18页 |
| ·有机太阳能电池的输出特性 | 第18-19页 |
| ·聚合物太阳能电池器件结构 | 第19-22页 |
| ·聚合物太阳能电池器件分类 | 第22-25页 |
| ·共轭聚合物光伏材料 | 第25-37页 |
| ·有机场效应晶体管 | 第37-44页 |
| ·有机场效应晶体管的器件结构和工作原理 | 第37-38页 |
| ·有机场效应晶体管的电学表征和性能 | 第38-40页 |
| ·聚合物场效应晶体管材料的发展概况 | 第40-44页 |
| ·化学传感器之荧光传感器 | 第44-50页 |
| ·论文的设计思想与研究内容 | 第50-52页 |
| ·论文的设计思想 | 第50-51页 |
| ·研究内容 | 第51-52页 |
| 第2章 含三苯胺乙烯基侧基的聚噻吩衍生物的合成、表征及其光伏性能 | 第52-62页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验部分 | 第52-56页 |
| ·试剂和测试部分 | 第52-53页 |
| ·单体和聚合物的合成 | 第53-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-61页 |
| ·聚合物的合成与结构表征 | 第56页 |
| ·聚合物的热性能 | 第56页 |
| ·光物理性能 | 第56-58页 |
| ·电化学测量结果与分析 | 第58-60页 |
| ·空穴迁移率的研究 | 第60页 |
| ·光伏性能研究 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第3章 含咔唑乙烯基侧链的聚噻吩衍生物的合成及空穴迁移率和光伏性能研究 | 第62-71页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·实验部分 | 第62-65页 |
| ·试剂、药品及测量条件和方法 | 第62页 |
| ·单体和聚合物的合成 | 第62-65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-70页 |
| ·单体与聚合物的合成及其结构表征 | 第65-66页 |
| ·热稳定性分析 | 第66-67页 |
| ·聚合物的光物理性质 | 第67-68页 |
| ·电化学性质 | 第68-69页 |
| ·空穴迁移率的研究 | 第69页 |
| ·光伏性能研究 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第4章 含腈基的聚（噻吩乙烯-噻吩）的合成、表征及其在太阳能电池和场效应晶体管方面的应用研究 | 第71-83页 |
| ·引言 | 第71-72页 |
| ·实验部分 | 第72-75页 |
| ·试剂和测试 | 第72页 |
| ·单体和聚合物的合成 | 第72-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-81页 |
| ·合成与表征 | 第75页 |
| ·热稳定性分析 | 第75-76页 |
| ·光物理性质 | 第76-77页 |
| ·电化学性质 | 第77-78页 |
| ·光伏性能研究 | 第78-79页 |
| ·有机场效应性能 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第5章 两种含噻吡嗪共聚单元的共聚物的合成、表征及其在荧光传感器方面的应用 | 第83-97页 |
| ·引言 | 第83-84页 |
| ·实验部分 | 第84-87页 |
| ·试剂和测试 | 第84页 |
| ·单体和聚合物的合成 | 第84-87页 |
| ·结果与讨论 | 第87-97页 |
| ·单体以及聚合物的合成 | 第87-88页 |
| ·热稳定性分析 | 第88页 |
| ·紫外可见吸收光谱和荧光光谱 | 第88-90页 |
| ·电化学性质 | 第90-91页 |
| ·对Hg~(2+) 检测性能 | 第91-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 总结与展望 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 附录A | 第109-112页 |
| 附录B 仪器和测试方法 | 第112-114页 |
| 攻读博士学位期间论文发表情况 | 第114-115页 |
