| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·GaAs 功率MMIC 的发展现状及应用背景 | 第7-8页 |
| ·选题背景 | 第8页 |
| ·研究的工作内容 | 第8-11页 |
| 第二章 宽带GaAs 功率MMIC 电路的设计 | 第11-41页 |
| ·材料结构设计 | 第11-12页 |
| ·有源器件的设计 | 第12-16页 |
| ·无源元件的设计 | 第16-25页 |
| ·电容 | 第17-19页 |
| ·电感 | 第19-21页 |
| ·电阻 | 第21-24页 |
| ·微带传输线 | 第24-25页 |
| ·元器件模型研究 | 第25-31页 |
| ·建模元器件测试结构的设计 | 第25-27页 |
| ·在片校准和测试 | 第27页 |
| ·MMIC 功率器件模型 | 第27-30页 |
| ·MMIC 无源元件模型 | 第30-31页 |
| ·MMIC 模型库验证 | 第31页 |
| ·拓扑网络的设计 | 第31-33页 |
| ·匹配电路的设计 | 第33页 |
| ·偏置电路的设计 | 第33-36页 |
| ·单片电路的CAD 优化及版图设计 | 第36页 |
| ·单片电路的可靠性设计 | 第36-41页 |
| ·GaAs 器件的失效模式 | 第36-37页 |
| ·可靠性设计 | 第37-40页 |
| ·可靠性验证和评估 | 第40-41页 |
| 第三章 宽带GaAs 功率MMIC 电路的工艺研究 | 第41-51页 |
| ·单片电路的制作工艺 | 第41-45页 |
| ·FET 工艺 | 第41-43页 |
| ·元件工艺 | 第43-45页 |
| ·主要工艺流程 | 第45-46页 |
| ·关键工艺 | 第46-51页 |
| ·HFET 材料的外延生长 | 第46页 |
| ·0.35μm 栅长“T”形栅的制作 | 第46-47页 |
| ·芯片钝化 | 第47-48页 |
| ·金属化 | 第48页 |
| ·选择腐蚀技术 | 第48-49页 |
| ·背面通孔 | 第49-51页 |
| 第四章 GaAs 功率MMIC 电路的测试研究 | 第51-59页 |
| ·测试夹具的研究 | 第51-53页 |
| ·载体的设计及测试分析 | 第52页 |
| ·自制盒体的设计及测试分析 | 第52-53页 |
| ·测试系统的研究 | 第53-57页 |
| ·直流测试的研究 | 第53-54页 |
| ·微波测试的研究 | 第54-57页 |
| ·测试误差分析 | 第57-59页 |
| ·载体测试误差的分析 | 第57页 |
| ·盒体测试误差的分析 | 第57-59页 |
| 第五章 GaAs 功率MMIC 的研制结果及分析 | 第59-63页 |
| ·研制结果与分析 | 第59-62页 |
| ·研制结果 | 第59-61页 |
| ·性能测试分析 | 第61-62页 |
| ·应用前景 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 研究成果 | 第69-71页 |