晶体硅太阳电池制作中的扩散工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·太阳电池的应用领域 | 第9-11页 |
| ·晶体硅太阳电池研究的发展状态与发展趋势 | 第11-13页 |
| ·本论文研究内容与研究意义 | 第13-15页 |
| 第二章 晶体硅太阳电池的基本原理和制造工艺流程 | 第15-25页 |
| ·晶体硅太阳电池的器件结构 | 第15-18页 |
| ·硅 PN 结太阳电池的基本工作原理 | 第18-23页 |
| ·光生伏特效应 | 第18-20页 |
| ·I-V 特性 | 第20-23页 |
| ·晶体硅太阳电池的制造工艺流程 | 第23-25页 |
| 第三章 扩散制作 PN 结与电极制作理论分析 | 第25-45页 |
| ·扩散制作 PN 结 | 第25-33页 |
| ·扩散的基本原理 | 第25-29页 |
| ·扩散参数 | 第29-30页 |
| ·扩散方法和工艺条件的选择 | 第30-31页 |
| ·扩散质量的检验 | 第31-33页 |
| ·太阳电池上电极设计 | 第33-39页 |
| ·快速烧结理论及应用 | 第39-42页 |
| ·烧结过程简介 | 第39-40页 |
| ·烧结工艺过程 | 第40-42页 |
| ·厚膜丝网印刷烧结结构串联电阻组成分析 | 第42-45页 |
| ·扩散薄层电阻引起的串联电阻r | 第43页 |
| ·电极金属体电阻 | 第43页 |
| ·金属-半导体接触电阻 | 第43-44页 |
| ·基区体电阻 | 第44-45页 |
| 第四章 晶体硅太阳电池的扩散工艺实验与研究 | 第45-71页 |
| ·扩散薄层电阻阻值工艺控制与顶部（正面）电极设计 | 第46-49页 |
| ·实验片的准备与主要工艺流程控制 | 第49-53页 |
| ·扩散炉及其结构特点 | 第53-54页 |
| ·扩散均匀性实验与研究 | 第54-63页 |
| ·扩散均匀性与扩散炉气氛场结构特点 | 第54-56页 |
| ·扩散均匀性影响因素与气氛场均匀性实验研究 | 第56-62页 |
| ·影响扩散均匀性的气氛场因素的综合优化实验 | 第62-63页 |
| ·扩散气氛场模拟分析技术与工程模型展望 | 第63-64页 |
| ·气密结构设计技术 | 第63-64页 |
| ·气氛稳定与均匀性技术 | 第64页 |
| ·扩散对太阳电池电性能的影响 | 第64-69页 |
| ·扩散均匀性对太阳电池电性能的影响 | 第64-65页 |
| ·扩散浓度对烧结工艺的要求及填充因子的影响 | 第65-67页 |
| ·扩散浓度对电池少子寿命及开路电压的影响 | 第67-69页 |
| ·扩散工艺参数的优化 | 第69-71页 |
| 第五章 结论与展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
