| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-5页 |
| 中文文摘 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 绪论 | 第9-17页 |
| 1 半导体材料科学 | 第9页 |
| 2 自旋电子学和稀磁半导体 | 第9-10页 |
| 3 ZnO基稀磁半导体 | 第10-13页 |
| 4 AlN基半导体材料 | 第13-14页 |
| 5 氢对掺杂半导体材料性质的影响 | 第14-15页 |
| 6 本论文主要工作 | 第15-17页 |
| 第一章 理论计算方法 | 第17-27页 |
| 第一节 密度泛函理论概述 | 第17-18页 |
| 第二节 Born-Oppenheimer绝热近似(多粒子体系→多电子体系) | 第18页 |
| 第三节 Hohenberg-Kohn定理(多体理论) | 第18-19页 |
| 第四节 Kohn-Sham方程(有效单体理论) | 第19-21页 |
| 第五节 交换关联势V_(xc)(r)处理 | 第21-22页 |
| 第六节 外部势场V_(cxt)(r)处理 | 第22-24页 |
| 第七节 VASP程序包 | 第24-27页 |
| 第二章 二族元素掺杂p型AlN中氢原子的结构稳定性和振动性质的第一性原理研究 | 第27-37页 |
| 第一节 引言 | 第27-28页 |
| 第二节 模型与计算方法 | 第28-30页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第30-36页 |
| 第四节 结论 | 第36-37页 |
| 第三章 掺钴氧化锌中氢原子结构稳定性和振动性质的第一性原理研究 | 第37-43页 |
| 第一节 引言 | 第37-38页 |
| 第二节 模型与计算方法 | 第38-39页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第39-42页 |
| 第四节 结论 | 第42-43页 |
| 第四章 H诱导Co掺杂ZnO体系室温铁磁性转变:第一性原理与Monte Carlo研究 | 第43-57页 |
| 第一节 引言 | 第43-44页 |
| 第二节 模型与计算方法 | 第44-47页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第47-55页 |
| 第四节 结论 | 第55-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历 | 第71-72页 |
