摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-32页 |
·纳米材料和纳米器件 | 第10-12页 |
·一维半导体纳米电子器件的研究和主要构筑方法 | 第12-18页 |
·一维半导体纳米电子器件的研究 | 第12-15页 |
·一维半导体纳米电子器件的主要的测量和构筑方法 | 第15-18页 |
·器件性能的调控 | 第18-19页 |
·基于肖特基势垒的一维半导体纳米器件的研究 | 第19-21页 |
·存在的问题和论文研究的思路、目的及主要内容 | 第21-25页 |
·存在的问题 | 第21-22页 |
·论文研究的思路、目的及主要内容 | 第22-25页 |
·参考文献 | 第25-32页 |
第二章 CuO 纳米线输运性质的调控和光电流响应 | 第32-60页 |
·前言 | 第32-35页 |
·用电沉积方法对CuO 纳米线肖特基势垒接触特性进行调控 | 第35-44页 |
·试验部分 | 第35-37页 |
·结果与讨论 | 第37-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
·一端电沉积法和特殊纳米线结构构筑二极管 | 第44-50页 |
·一端电沉积构筑非对称结构的二极管 | 第44-48页 |
·特殊纳米线结构构筑二极管 | 第48-50页 |
·P 型半导体CuO 纳米线的光致氧吸附 | 第50-57页 |
·前言 | 第50-51页 |
·实验过程 | 第51-53页 |
·结果和讨论 | 第53-56页 |
·小结 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57页 |
·参考文献 | 第57-60页 |
第三章 表面敏化对CuO 纳米线器件电和光电输运性质的影响 | 第60-75页 |
·前言 | 第60-62页 |
·实验过程 | 第62-65页 |
·结果与讨论 | 第65-73页 |
·本章小结 | 第73页 |
·参考文献 | 第73-75页 |
第四章 基于肖特基接触的SnO_2纳米带/线器件在气敏检测方面的应用 | 第75-105页 |
·前言 | 第75-79页 |
·CuO 纳米线的接触势垒的计算和气敏检测特性的研究 | 第79-92页 |
·基于电流-温度的关系曲线计算CuO 纳米线的接触势垒 | 第79-83页 |
·一维CuO 纳米线器件的气敏检测 | 第83-91页 |
·小结 | 第91-92页 |
·一维SnO_2 纳米结构的合成及气敏检测 | 第92-101页 |
·前言 | 第92-93页 |
·实验过程 | 第93-95页 |
·结果和讨论 | 第95-101页 |
·本章小结 | 第101-102页 |
·参考文献 | 第102-105页 |
第五章 总结和展望 | 第105-108页 |
博士期间发表和完成的工作 | 第108-109页 |
致谢 | 第109-110页 |