| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-16页 |
| 1.2 含微观损伤金属材料的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 本文的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 晶体中的位错 | 第19-33页 |
| 2.1 晶体中的缺陷 | 第19-21页 |
| 2.2 晶体中的位错 | 第21-33页 |
| 2.2.1 位错的基本类型 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Burgers回路和Burgers矢量 | 第22-23页 |
| 2.2.3 位错的运动 | 第23-25页 |
| 2.2.4 位错周围的应变场 | 第25-27页 |
| 2.2.5 晶体中的滑移系 | 第27-28页 |
| 2.2.6 Thompson四面体 | 第28-30页 |
| 2.2.7 单晶体中的滑移 | 第30-33页 |
| 第三章 分子动力学模拟方法简介 | 第33-40页 |
| 3.1 分子动力学发展简介 | 第33页 |
| 3.2 质点运动的基本原理 | 第33-36页 |
| 3.3 分子动力学的基本原理 | 第36-39页 |
| 3.3.1 势函数 | 第36-37页 |
| 3.3.2 边界条件 | 第37-39页 |
| 3.3.3 分子动力学的算法 | 第39页 |
| 3.4 分子动力学的发展方向 | 第39-40页 |
| 第四章 拉伸加载下单晶铝中的孔洞生长 | 第40-47页 |
| 4.1 模型的建立 | 第41-42页 |
| 4.2 不同加载晶向下孔洞的变形过程 | 第42-46页 |
| 4.3 结论 | 第46-47页 |
| 第五章 孔洞生长过程的位错分析 | 第47-57页 |
| 5.1 孔洞生长过程中的应力分布 | 第49-51页 |
| 5.2 孔洞生长过程的位错分析 | 第51-55页 |
| 5.2.1 [100]晶向 | 第51-53页 |
| 5.2.2 [110]晶向 | 第53页 |
| 5.2.3 [111]晶向 | 第53-55页 |
| 5.3 结论 | 第55-57页 |
| 第六章 孔洞和空位对单晶铝力学性能的影响 | 第57-66页 |
| 6.1 孔洞体积份额的影响 | 第57-58页 |
| 6.2 空位体积份额的影响 | 第58-60页 |
| 6.3 孔洞与空位的共同作用 | 第60-61页 |
| 6.4 空位不同相对位置的影响 | 第61-65页 |
| 6.5 结论 | 第65-66页 |
| 第七章 影响计算结果的其他因素 | 第66-73页 |
| 7.1 势函数的影响 | 第66-67页 |
| 7.2 温度的影响 | 第67-69页 |
| 7.3 边界条件的影响 | 第69-70页 |
| 7.4 时间步长的影响 | 第70-72页 |
| 7.5 结论 | 第72-73页 |
| 第八章 总结和展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读学位期间主要研宄成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |