摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第1章 文献综述 | 第9-25页 |
1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
1.2 乙醇的性质和用途 | 第10-11页 |
1.2.1 乙醇的性质 | 第10-11页 |
1.2.2 乙醇的用途 | 第11页 |
1.3 乙醇的主要生产工艺 | 第11-14页 |
1.3.1 生物质发酵法 | 第11-12页 |
1.3.2 乙烯水合法 | 第12-14页 |
1.4 以合成气为原料制乙醇工艺 | 第14-18页 |
1.4.1 合成气直接合成乙醇 | 第14-16页 |
1.4.2 合成气间接合成乙醇 | 第16-18页 |
1.5 MA气相加氢催化剂研究进展 | 第18-22页 |
1.5.1 MA气相加氢铜基催化剂研究进展 | 第18-19页 |
1.5.2 Cu-ZnO催化剂研究进展 | 第19-22页 |
1.6 论文工作的提出 | 第22-25页 |
第2章 实验部分 | 第25-33页 |
2.1 实验试剂 | 第25-26页 |
2.2 反应设备及过程 | 第26-27页 |
2.3 催化剂制备 | 第27-29页 |
2.3.1 水解沉淀法制备Cu-SiO_2、Zn-SiO_2及CuZn-SiO_2催化剂 | 第27-28页 |
2.3.2 共沉淀法制备CuZnO/Al2O3 催化剂 | 第28页 |
2.3.3 共晶化法制备Cu-ZnO纳米花催化剂 | 第28页 |
2.3.4 蒸氨法制备Cu-ZnO纳米花催化剂 | 第28-29页 |
2.3.5 共沉淀法制备Cu-ZnO催化剂 | 第29页 |
2.4 催化剂的表征 | 第29-31页 |
2.4.1 比表面积及孔结构测试(BET) | 第29页 |
2.4.2 电感耦合等离子发射光谱仪(ICP-OES) | 第29页 |
2.4.3 氢气程序升温还原(H2-TPR) | 第29-30页 |
2.4.4 X射线衍射光谱(XRD) | 第30页 |
2.4.5 透射电子显微镜(TEM) | 第30页 |
2.4.6 场发射扫描电子显微镜(SEM) | 第30页 |
2.4.7 X射线光电子能谱(XPS)及俄歇电子能谱(XAES) | 第30-31页 |
2.4.8 二氧化碳化学吸附(CO2-TPD) | 第31页 |
2.4.9 氧化亚氮-一氧化碳滴定(N2O-CO titration) | 第31页 |
2.5 产物的定量分析 | 第31-33页 |
第3章 铜锌双组分催化剂制备研究 | 第33-43页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 表征分析 | 第33-40页 |
3.2.1 催化剂的基本结构性质 | 第33-35页 |
3.2.2 XRD表征 | 第35页 |
3.2.3 TEM表征 | 第35-37页 |
3.2.4 催化剂的还原性能 | 第37页 |
3.2.5 催化剂表面碱性位表征 | 第37-38页 |
3.2.6 XPS表征 | 第38-40页 |
3.3 活性分析 | 第40-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-43页 |
第4章 CuZn-SiO_2催化剂中Cu-ZnO作用原理 | 第43-55页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 Cu_xZn_y-SiO_2催化剂活性分析 | 第43-44页 |
4.3 水解沉淀法制备的CuxZny-SiO_2催化剂的表征分析 | 第44-54页 |
4.3.1 催化剂的基本结构性质 | 第44-46页 |
4.3.2 XRD表征 | 第46-47页 |
4.3.3 TEM表征 | 第47-49页 |
4.3.4 催化剂的还原性能 | 第49页 |
4.3.5 催化剂表面碱性位 | 第49-50页 |
4.3.6 XPS表征 | 第50-52页 |
4.3.7 Cu_xZn_y-SiO_2催化剂活性位分析 | 第52-53页 |
4.3.8 Cu_xZn_y-SiO_2催化剂的稳定性评价 | 第53-54页 |
4.4 本章小结 | 第54-55页 |
第5章 共晶化法制备Cu-ZnO纳米花催化剂 | 第55-63页 |
5.1 引言 | 第55页 |
5.2 催化剂制备条件分析 | 第55-56页 |
5.3 表征分析 | 第56-61页 |
5.3.1 SEM表征 | 第56-57页 |
5.3.2 XRD表征 | 第57-58页 |
5.3.3 催化剂的物理结构性质 | 第58-59页 |
5.3.4 H_2-TPR表征 | 第59-60页 |
5.3.5 XPS表征 | 第60-61页 |
5.4 Cu-ZnO催化剂的活性分析 | 第61-62页 |
5.5 本章小结 | 第62-63页 |
第6章 结论 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-71页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第71-73页 |
致谢 | 第73页 |