| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 Graphene的国内外研究现状 | 第15-22页 |
| 1.2.1 Graphene的基本物性 | 第15-16页 |
| 1.2.2 Graphene的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.2.3 Graphene的应用 | 第18-22页 |
| 1.3 MoS_2的国内外研究现状 | 第22-29页 |
| 1.3.1 二维MoS_2的基本物性 | 第23-24页 |
| 1.3.2 二维MoS_2的制备方法 | 第24-26页 |
| 1.3.3 二维MoS_2的应用 | 第26-29页 |
| 1.4 Graphene-MoS_2复合结构的研究现状 | 第29-31页 |
| 1.4.1 Graphene-MoS_2复合结构的机理解释 | 第29-30页 |
| 1.4.2 Graphene-MoS_2复合结构的应用 | 第30-31页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第31-32页 |
| 第二章 网状MoS_2应变传感特性研究 | 第32-47页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 钼网上CVD制备MoS_2 | 第32-36页 |
| 2.2.1 钼网的预处理 | 第32-34页 |
| 2.2.2 CVD生长网状MoS_2薄膜 | 第34-36页 |
| 2.3 网状MoS_2的转移及表征 | 第36-42页 |
| 2.3.1 网状MoS_2薄膜转移至PDMS基底上 | 第36-37页 |
| 2.3.2 网状MoS_2薄膜的表征 | 第37-42页 |
| 2.4 MoS_2应变传感器的构筑及测试 | 第42-45页 |
| 2.4.1 MoS_2/PDMS应变传感器件的构筑 | 第42页 |
| 2.4.2 MoS_2/PDMS应变传感特性测试 | 第42-45页 |
| 2.5 应用及传感机理解释 | 第45-46页 |
| 2.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 网状石墨烯应变传感特性研究 | 第47-59页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 铜网上CVD制备GWF薄膜 | 第47-50页 |
| 3.2.1 铜网的预处理 | 第47-48页 |
| 3.2.2 CVD生长GWF薄膜 | 第48-50页 |
| 3.3 GWF的转移及表征 | 第50-53页 |
| 3.3.1 GWF转移至SiO_2/Si基底上 | 第50-51页 |
| 3.3.2 GWF的质量表征 | 第51-53页 |
| 3.4 GWF应变传感器件的构筑测试 | 第53-57页 |
| 3.4.1 GWF/PDMS应变传感器件的构筑测试 | 第53-55页 |
| 3.4.2 GWF/PDMS/Double sided tape应变传感器件的构筑测试 | 第55-57页 |
| 3.5 应变传感机理解释 | 第57-58页 |
| 3.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 Graphene-MoS_2复合结构的传感特性研究 | 第59-77页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 铜箔上制备Graphene | 第59-66页 |
| 4.2.1 铜箔的预处理 | 第60-61页 |
| 4.2.2 CVD制备Graphene薄膜 | 第61-63页 |
| 4.2.3 石墨烯薄膜的转移 | 第63-64页 |
| 4.2.4 石墨烯薄膜的表征 | 第64-66页 |
| 4.3 Graphene/PET应变传感器件的构筑测试 | 第66-73页 |
| 4.3.1 Graphene/PET应变传感器件的构筑 | 第67页 |
| 4.3.2 Graphene/PET应变传感器件的测试 | 第67-73页 |
| 4.3.3 Graphene/PET传感器件传感机理解释 | 第73页 |
| 4.4 Graphene-MoS_2复合结构的设计制备及测试 | 第73-76页 |
| 4.4.1 Graphene-MoS_2复合结构的设计制备 | 第73-74页 |
| 4.4.2 Graphene-MoS_2复合结构的性能测试 | 第74-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 总结和展望 | 第77-80页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第77-78页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 在学期间的研究成果及学术论文 | 第87页 |
