摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 TFT简介 | 第11-17页 |
1.2.1 TFT的分类 | 第11-13页 |
1.2.2 TFT的结构 | 第13-15页 |
1.2.3 TFT的工作原理 | 第15-17页 |
1.3 金属氧化物TFT的研究意义 | 第17-18页 |
1.4 Cu基氧化物TFT的发展现状 | 第18-19页 |
1.4.1 CuO-TFT | 第18-19页 |
1.4.2 CuMO_2-TFT | 第19页 |
1.5 CuAlO_2-TFT的研究意义 | 第19-20页 |
1.6 论文的主要内容与章节安排 | 第20-23页 |
参考文献 | 第23-25页 |
第2章 薄膜的制备技术及表征方法 | 第25-31页 |
2.1 薄膜制备方法 | 第25-26页 |
2.2 薄膜的表征方法 | 第26-28页 |
2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第27页 |
2.2.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第27页 |
2.2.3 紫外可见光光度仪(UV-Vis) | 第27页 |
2.2.4 拉曼测试(Raman) | 第27-28页 |
2.3 TFT电学测试 | 第28页 |
2.4 本章小结 | 第28-29页 |
参考文献 | 第29-31页 |
第3章 溶胶-凝胶法制备CuAlO_2薄膜及性能表征 | 第31-43页 |
3.1 实验装置及制备流程 | 第31-34页 |
3.1.1 实验仪器 | 第31页 |
3.1.2 实验药品 | 第31页 |
3.1.3 衬底的选择与处理 | 第31-32页 |
3.1.4 CuAlO_2薄膜 | 第32-34页 |
3.2 CuAlO_2薄膜的表征 | 第34-39页 |
3.2.1 不同干燥温度对CuAlO_2薄膜性能的影响 | 第34-35页 |
3.2.2 退火温度对CuAlO_2薄膜性能的影响 | 第35-39页 |
3.3 本章小结 | 第39-41页 |
参考文献 | 第41-43页 |
第4章 溶胶凝胶法制备CuAlO_2-TFT及其电学性质研究 | 第43-57页 |
4.1 CuAlO_2-TFT的制备 | 第43页 |
4.2 CuAlO_2-TFT的电学性能测试 | 第43-44页 |
4.3 干燥温度对CuAlO_2-TFT的电学性质的影响 | 第44-46页 |
4.3.1 实验参数 | 第44页 |
4.3.2 CuAlO_2-TFT的电学性质 | 第44-46页 |
4.4 退火温度对CuAlO_2-TFT的电学性质的影响 | 第46-49页 |
4.4.1 实验参数 | 第46-47页 |
4.4.2 CuAlO_2-TFT的电学性质 | 第47-49页 |
4.5 沟道层厚度对CuAlO_2-TFT的电学性质的影响 | 第49-51页 |
4.5.1 实验参数 | 第49页 |
4.5.2 CuAlO_2-TFT的电学性质 | 第49-51页 |
4.6 本章小结 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-57页 |
第5章 磁控溅射法制备CuAlO_2-TFT及电学性质研究 | 第57-71页 |
5.1 实验装置及流程 | 第57-61页 |
5.1.1 实验仪器 | 第57页 |
5.1.2 衬底的选择与处理 | 第57-58页 |
5.1.3 CuAlO_2靶材的制备 | 第58-59页 |
5.1.4 CuAlO_2薄膜的制备 | 第59-61页 |
5.1.5 CuAlO_2-TFT的制备 | 第61页 |
5.2 CuAlO_2薄膜的表征 | 第61-65页 |
5.2.1 XRD分析 | 第62页 |
5.2.2 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第62-63页 |
5.2.3 紫外可见光分析仪(UV-Vis)测试 | 第63-65页 |
5.3 退火温度对CuAlO_2-TFT的电学性质的影响 | 第65-67页 |
5.3.1 实验参数 | 第65页 |
5.3.2 CuAlO_2-TFT的电学性质 | 第65-67页 |
5.4 本章小结 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-71页 |
第6章 全文总结 | 第71-73页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第73-75页 |
致谢 | 第75-76页 |