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p型金属氧化物CuAlO2薄膜晶体管制备及性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-25页
    1.1 引言第11页
    1.2 TFT简介第11-17页
        1.2.1 TFT的分类第11-13页
        1.2.2 TFT的结构第13-15页
        1.2.3 TFT的工作原理第15-17页
    1.3 金属氧化物TFT的研究意义第17-18页
    1.4 Cu基氧化物TFT的发展现状第18-19页
        1.4.1 CuO-TFT第18-19页
        1.4.2 CuMO_2-TFT第19页
    1.5 CuAlO_2-TFT的研究意义第19-20页
    1.6 论文的主要内容与章节安排第20-23页
    参考文献第23-25页
第2章 薄膜的制备技术及表征方法第25-31页
    2.1 薄膜制备方法第25-26页
    2.2 薄膜的表征方法第26-28页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)第27页
        2.2.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM)第27页
        2.2.3 紫外可见光光度仪(UV-Vis)第27页
        2.2.4 拉曼测试(Raman)第27-28页
    2.3 TFT电学测试第28页
    2.4 本章小结第28-29页
    参考文献第29-31页
第3章 溶胶-凝胶法制备CuAlO_2薄膜及性能表征第31-43页
    3.1 实验装置及制备流程第31-34页
        3.1.1 实验仪器第31页
        3.1.2 实验药品第31页
        3.1.3 衬底的选择与处理第31-32页
        3.1.4 CuAlO_2薄膜第32-34页
    3.2 CuAlO_2薄膜的表征第34-39页
        3.2.1 不同干燥温度对CuAlO_2薄膜性能的影响第34-35页
        3.2.2 退火温度对CuAlO_2薄膜性能的影响第35-39页
    3.3 本章小结第39-41页
    参考文献第41-43页
第4章 溶胶凝胶法制备CuAlO_2-TFT及其电学性质研究第43-57页
    4.1 CuAlO_2-TFT的制备第43页
    4.2 CuAlO_2-TFT的电学性能测试第43-44页
    4.3 干燥温度对CuAlO_2-TFT的电学性质的影响第44-46页
        4.3.1 实验参数第44页
        4.3.2 CuAlO_2-TFT的电学性质第44-46页
    4.4 退火温度对CuAlO_2-TFT的电学性质的影响第46-49页
        4.4.1 实验参数第46-47页
        4.4.2 CuAlO_2-TFT的电学性质第47-49页
    4.5 沟道层厚度对CuAlO_2-TFT的电学性质的影响第49-51页
        4.5.1 实验参数第49页
        4.5.2 CuAlO_2-TFT的电学性质第49-51页
    4.6 本章小结第51-53页
    参考文献第53-57页
第5章 磁控溅射法制备CuAlO_2-TFT及电学性质研究第57-71页
    5.1 实验装置及流程第57-61页
        5.1.1 实验仪器第57页
        5.1.2 衬底的选择与处理第57-58页
        5.1.3 CuAlO_2靶材的制备第58-59页
        5.1.4 CuAlO_2薄膜的制备第59-61页
        5.1.5 CuAlO_2-TFT的制备第61页
    5.2 CuAlO_2薄膜的表征第61-65页
        5.2.1 XRD分析第62页
        5.2.2 扫描电子显微镜(SEM)分析第62-63页
        5.2.3 紫外可见光分析仪(UV-Vis)测试第63-65页
    5.3 退火温度对CuAlO_2-TFT的电学性质的影响第65-67页
        5.3.1 实验参数第65页
        5.3.2 CuAlO_2-TFT的电学性质第65-67页
    5.4 本章小结第67-68页
    参考文献第68-71页
第6章 全文总结第71-73页
攻读学位期间发表的学术论文目录第73-75页
致谢第75-76页

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