| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 研究现状 | 第11-18页 |
| 1.2.1 激光损伤光电探测器的主要机理概述 | 第11-13页 |
| 1.2.2 激光辐照硅晶体材料研究进展 | 第13-15页 |
| 1.2.3 激光辐照光电探测器研究进展 | 第15-16页 |
| 1.2.4 激光辐照硅基APD探测器研究进展 | 第16-18页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 长脉冲激光辐照硅基APD探测器物理模型 | 第20-35页 |
| 2.1 硅基APD探测器基本结构 | 第20-21页 |
| 2.2 长脉冲激光辐照在线硅基APD探测器电学模型 | 第21-30页 |
| 2.2.1 半导体模型 | 第21-27页 |
| 2.2.2 暗电流密度模型 | 第27-28页 |
| 2.2.3 倍增因子模型 | 第28-29页 |
| 2.2.4 输出电流模型 | 第29-30页 |
| 2.3 长脉冲激光辐照在线硅基APD探测器热及热应力模型 | 第30-33页 |
| 2.3.1 热模型 | 第31-32页 |
| 2.3.2 热应力模型 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 长脉冲激光辐照硅基APD探测器仿真研究 | 第35-56页 |
| 3.1 长脉冲激光辐照在线硅基APD探测器仿真物性参量及网格剖分 | 第35-38页 |
| 3.1.1 仿真物性参量 | 第35-36页 |
| 3.1.2 仿真网格剖分 | 第36-38页 |
| 3.2 长脉冲激光辐照在线硅基APD探测器电学模型仿真 | 第38-47页 |
| 3.2.1 半导体模型仿真 | 第39-40页 |
| 3.2.2 暗电流密度模型仿真 | 第40-42页 |
| 3.2.3 倍增因子模型仿真 | 第42-43页 |
| 3.2.4 输出电流模型仿真 | 第43-47页 |
| 3.3 长脉冲激光辐照在线硅基APD探测器热及热应力模型仿真 | 第47-54页 |
| 3.3.1 热模型仿真 | 第48-52页 |
| 3.3.2 长脉冲激光辐照在线硅基APD探测器热应力模型仿真 | 第52-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 长脉冲激光辐照硅基APD探测器实验研究 | 第56-85页 |
| 4.1 长脉冲激光辐照硅基APD探测器温度实验研究 | 第56-60页 |
| 4.1.1 温度实验测量系统 | 第56页 |
| 4.1.2 中心点温度随能量密度和脉宽变化的关系 | 第56-60页 |
| 4.2 长脉冲激光辐照硅基APD探测器输出电流实验研究 | 第60-67页 |
| 4.2.1 输出电流实验测量系统 | 第60页 |
| 4.2.2 输出电流随能量密度、脉宽和外置偏压变化的关系 | 第60-67页 |
| 4.3 长脉冲激光辐照硅基APD探测器损伤面积实验研究 | 第67-71页 |
| 4.3.1 损伤面积实验测量系统 | 第67页 |
| 4.3.2 损伤面积随能量密度和脉宽变化的关系 | 第67-71页 |
| 4.4 长脉冲激光辐照硅基APD探测器电学参数离线实验研究 | 第71-81页 |
| 4.4.1 电学参数离线实验测量系统 | 第71页 |
| 4.4.2 响应度随能量密度和脉宽变化的关系 | 第71-74页 |
| 4.4.3 暗电流随能量密度和脉宽变化的关系 | 第74-75页 |
| 4.4.4 倍增因子随能量密度和脉宽变化的关系 | 第75-77页 |
| 4.4.5 C-V曲线随能量密度和脉宽变化的关系 | 第77-81页 |
| 4.5 长脉冲激光辐照在线硅基APD探测器损伤机理研究 | 第81-84页 |
| 4.6 本章小结 | 第84-85页 |
| 第五章 结论与展望 | 第85-89页 |
| 5.1 结论 | 第85-87页 |
| 5.1.1 理论研究方面 | 第85-86页 |
| 5.1.2 实验研究方面 | 第86-87页 |
| 5.1.3 创新性研究工作 | 第87页 |
| 5.2 展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 博士期间学术成果情况 | 第94-95页 |
