| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 OTFT的发展与应用 | 第7-9页 |
| 1.2.1 国外研究状况 | 第7-8页 |
| 1.2.2 国内研究状况 | 第8-9页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第9-11页 |
| 第二章 基本理论 | 第11-23页 |
| 2.1 OTFT的结构与工作原理 | 第11-13页 |
| 2.2 OTFT的材料 | 第13-19页 |
| 2.2.1 半导体材料 | 第13-17页 |
| 2.2.2 绝缘层材料 | 第17-18页 |
| 2.2.3 电极材料 | 第18-19页 |
| 2.3 有机电子器件电流-电压特性关系的两种基本模式 | 第19-23页 |
| 2.3.1 空间电荷限制电流模式 | 第19-20页 |
| 2.3.2 注入受限电流模式 | 第20页 |
| 2.3.3 ILC模式与SCLC模式的判定 | 第20-23页 |
| 第三章 OTFT有源层的制备与研究 | 第23-35页 |
| 3.1 有源层材料的选择 | 第23-24页 |
| 3.1.1 导电聚合物的导电机理 | 第23页 |
| 3.1.2 有源层材料的选择 | 第23-24页 |
| 3.2 OTFT器件的制备工艺 | 第24-26页 |
| 3.2.1 喷墨印刷技术 | 第24-26页 |
| 3.2.2 旋涂法成膜技术 | 第26页 |
| 3.3 参数的提取与分析 | 第26-34页 |
| 3.3.1 制备与测试 | 第27页 |
| 3.3.2 有源层退火温度的研究 | 第27-28页 |
| 3.3.3 有源层载流子注入特性的优化研究 | 第28-34页 |
| 3.3.3.1 PEDOT薄膜特性分析 | 第28-30页 |
| 3.3.3.2 PEDOT修饰对Ag/P3HT/ITO样品结构载流子注入特性的改善 | 第30-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 OTFT器件性能研究 | 第35-41页 |
| 4.1 OTFT器件的主要性能参数 | 第35-36页 |
| 4.1.1 场效应迁移率 | 第35页 |
| 4.1.2 阂值电压 | 第35-36页 |
| 4.1.3 开关电流比 | 第36页 |
| 4.2 P3HT浓度对于OTFT器件性能的影响 | 第36-41页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第36-37页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第37-41页 |
| 第五章 总结与展望 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第46页 |