基于RCM的混沌腔体电磁耦合特性的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题研究的背景 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 课题研究的意义 | 第12-13页 |
| 1.4 课题的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第2章 随机耦合模型 | 第14-22页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 随机耦合模型理论概述 | 第14-15页 |
| 2.3 波混沌 | 第15-16页 |
| 2.4 腔体的归一化辐射阻抗 | 第16-18页 |
| 2.4.1 单孔激励腔体的辐射阻抗归一化过程 | 第16-17页 |
| 2.4.2 多孔激励腔体的辐射阻抗归一化过程 | 第17-18页 |
| 2.5 估算腔体损耗的方法 | 第18-21页 |
| 2.5.1 未出现重叠共振的系统 | 第19页 |
| 2.5.2 出现重叠共振的系统 | 第19-21页 |
| 2.5.2.1 直接比较法 | 第19-20页 |
| 2.5.2.2 公式法 | 第20-21页 |
| 2.6 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 波混沌腔体S参数的提取 | 第22-37页 |
| 3.1 PCB敏感点的确定 | 第22-27页 |
| 3.1.1 测试平台的搭建 | 第22-23页 |
| 3.1.2 PCB的电磁辐射特性及敏感点的确定 | 第23-27页 |
| 3.2 波混沌腔体的建立及S参数的提取 | 第27-34页 |
| 3.2.1 测试平台的搭建 | 第27-29页 |
| 3.2.2 测试过程 | 第29-30页 |
| 3.2.3 测试数据的处理 | 第30-34页 |
| 3.3 软件仿真提取S参数 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 腔体耦合特性的分析 | 第37-41页 |
| 4.1 损耗因子α的确定 | 第37-39页 |
| 4.2 目标点处电压概率密度的计算 | 第39-40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第5章 结论与展望 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |
