| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 SHJ太阳电池物理机制和性能影响因素 | 第11-18页 |
| 1.1.1 掺杂氢化非晶硅薄膜 | 第14-15页 |
| 1.1.2 透明导电氧化层 | 第15-18页 |
| 1.2 SHJ太阳电池优化设计 | 第18-21页 |
| 1.3 SHJ太阳电池发展现状 | 第21-25页 |
| 1.4 SHJ太阳电池的载流子选择性接触和界面态 | 第25-26页 |
| 1.5 本文研究目的和主要内容 | 第26-28页 |
| 第2章 测试表征和数值模拟的基本原理 | 第28-38页 |
| 2.1 理论背景 | 第28-30页 |
| 2.1.1 半导体中的复合机制 | 第28-29页 |
| 2.1.2 俄歇复合参数模型 | 第29-30页 |
| 2.2 测试表征工具 | 第30-35页 |
| 2.2.1 少子寿命测试 | 第30-31页 |
| 2.2.2 电容-电压测试 | 第31-32页 |
| 2.2.3 光谱型椭偏仪 | 第32-33页 |
| 2.2.4 傅里叶转换红外光谱仪 | 第33页 |
| 2.2.5 Suns-V_(oc)测试仪 | 第33-35页 |
| 2.3 数值模拟软件 | 第35-38页 |
| 2.3.1 AFORS-HET | 第35-36页 |
| 2.3.2 wxAMPS | 第36-38页 |
| 第3章 载流子选择性接触 | 第38-58页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 载流子选择性接触物理模型 | 第39-40页 |
| 3.3 固定电荷和功函数对c-Si能带弯曲的影响 | 第40-44页 |
| 3.3.1 固定电荷对c-Si能带弯曲的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.2 功函数对c-Si能带弯曲的影响 | 第43-44页 |
| 3.4 载流子选择性接触模拟分析 | 第44-51页 |
| 3.4.1 扩散同质结硅太阳电池 | 第45-47页 |
| 3.4.2 非晶硅薄膜SHJ太阳电池 | 第47-49页 |
| 3.4.3 金属氧化物薄膜SHJ太阳电池 | 第49-51页 |
| 3.5 界面态对空穴选择性接触的影响 | 第51-53页 |
| 3.6 带阶对空穴选择性接触的影响 | 第53-55页 |
| 3.7 界面态对电子选择性接触的影响 | 第55-56页 |
| 3.8 本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 (i)a-Si:H/c-Si异质结界面特性和(i)a-Si:H薄膜体结构缺陷 | 第58-81页 |
| 4.1 引言 | 第58-60页 |
| 4.2 实验方法 | 第60-62页 |
| 4.3 (i)a-Si:H/c-Si异质结化学界面特性 | 第62-68页 |
| 4.3.1 少子寿命与界面态 | 第62-64页 |
| 4.3.2 (i)a-Si:H/c-Si异质结钝化机制分析 | 第64-68页 |
| 4.4 (i)a-Si:H/c-Si异质结电学界面特性 | 第68-75页 |
| 4.4.1 Norder方法确定势垒高度 | 第69-70页 |
| 4.4.2 串联电阻对C-V和G-V的影响 | 第70-73页 |
| 4.4.3 C-V方法确定势垒高度 | 第73-75页 |
| 4.5 (i)a-Si:H薄膜氢含量和硅氢键合模式 | 第75-77页 |
| 4.6 (i)a-Si:H薄膜质量密度和体结构缺陷 | 第77-79页 |
| 4.7 本章小结 | 第79-81页 |
| 第5章 SHJ太阳电池功率损失和填充因子损失 | 第81-88页 |
| 5.1 引言 | 第81页 |
| 5.2 实验方法 | 第81-82页 |
| 5.3 SHJ太阳电池功率损失 | 第82-84页 |
| 5.4 SHJ太阳电池填充因子损失 | 第84-87页 |
| 5.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 第6章 结论与展望 | 第88-91页 |
| 6.1 结论 | 第88-89页 |
| 6.2 创新点 | 第89页 |
| 6.3 展望 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-106页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第106页 |
