| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-30页 |
| 1.1 导电高分子材料研究概述 | 第15-24页 |
| 1.1.1 碳纳米管的导电性–依赖于π共轭 | 第15-18页 |
| 1.1.2 聚硅烷的导电性–依赖于σ共轭 | 第18-21页 |
| 1.1.3 σ-π共轭导电高分子材料 | 第21-23页 |
| 1.1.4 B、P 掺杂碳纳米管/聚硅烷异质结研究的目的与意义 | 第23-24页 |
| 1.2 氮化钼导电材料研究概述 | 第24-27页 |
| 1.2.1 氮化钼的结构及电子性质 | 第24-25页 |
| 1.2.2 掺杂改善氮化钼导电性的研究 | 第25-26页 |
| 1.2.3 稀土掺杂δ-MoN 研究的目的与意义 | 第26-27页 |
| 1.3 课题来源及研究内容 | 第27-30页 |
| 1.3.1 课题来源 | 第27页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第27-30页 |
| 第2章 理论基础 | 第30-46页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第30-37页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi-Dirac 模型 | 第31-32页 |
| 2.1.2 Hoenberg-Kohn 定理 | 第32-34页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham 方程 | 第34-35页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第35-37页 |
| 2.2 能带理论 | 第37-42页 |
| 2.2.1 布洛赫定理 | 第37-39页 |
| 2.2.2 布里渊区和能带 | 第39-40页 |
| 2.2.3 费米面和态密度 | 第40-42页 |
| 2.3 电子输运理论 | 第42-45页 |
| 2.3.1 平衡格林函数方法 | 第42-43页 |
| 2.3.2 非平衡格林函数方法 | 第43-44页 |
| 2.3.3 Landauer-Büttiker 公式 | 第44-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 B、P 掺杂对碳纳米管/聚硅烷异质结导电性的影响 | 第46-72页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 理论模型与计算方法 | 第46-50页 |
| 3.2.1 理论模型 | 第46-48页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第48-50页 |
| 3.3 几何结构 | 第50-53页 |
| 3.4 电子输运性质 | 第53-70页 |
| 3.4.1 NDR 效应 | 第56-58页 |
| 3.4.2 s-Si10P(c)、s-Si9PP 与 d-Si10P 比较 | 第58-62页 |
| 3.4.3 s-Si10B(c)、s-Si9BB 与 d-Si10B 比较 | 第62-64页 |
| 3.4.4 B 与 P 掺杂比较 | 第64-65页 |
| 3.4.5 不同掺杂位置比较 | 第65-68页 |
| 3.4.6 s-Si9BP 的整流效应 | 第68-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 第4章 稀土掺杂对δ-MoN 导电性的影响 | 第72-102页 |
| 4.1 引言 | 第72页 |
| 4.2 理论模型与计算方法 | 第72-78页 |
| 4.2.1 理论模型 | 第72-75页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第75-78页 |
| 4.3 晶体结构 | 第78-85页 |
| 4.3.1 δ-MoN 的晶体结构 | 第78-79页 |
| 4.3.2 Ln-MoN 的晶体结构 | 第79-85页 |
| 4.4 电子结构 | 第85-95页 |
| 4.4.1 δ-MoN 的电子结构 | 第85-87页 |
| 4.4.2 Ln-MoN 的电子结构 | 第87-95页 |
| 4.5 电子输运性质 | 第95-100页 |
| 4.5.1 电流-电压曲线 | 第95-98页 |
| 4.5.2 透射谱 | 第98-100页 |
| 4.6 本章小结 | 第100-102页 |
| 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-119页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120页 |
