| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展简史 | 第11-13页 |
| 1.3 薄膜晶体管的种类 | 第13-16页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜晶体管 | 第14页 |
| 1.3.2 多晶硅薄膜晶体管 | 第14-15页 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管 | 第15页 |
| 1.3.4 氧化物薄膜晶体管 | 第15-16页 |
| 1.4 薄膜晶体管未来的发展趋势 | 第16页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 薄膜晶体管基础理论 | 第18-30页 |
| 2.1 薄膜晶体管结构和工作原理 | 第18-20页 |
| 2.1.1 薄膜晶体管的基本结构 | 第18-19页 |
| 2.1.2 薄膜晶体管的基本工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2 薄膜晶体管的基本参数 | 第20-24页 |
| 2.2.1 输出与转移特性曲线 | 第20-21页 |
| 2.2.2 阈值电压 | 第21-22页 |
| 2.2.3 迁移率 | 第22-23页 |
| 2.2.4 电流开关比 | 第23页 |
| 2.2.5 亚阈值斜率 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜晶体管材料选择 | 第24-28页 |
| 2.3.1 半导体层材料 | 第24-25页 |
| 2.3.2 绝缘层材料 | 第25-27页 |
| 2.3.3 电极材料 | 第27-28页 |
| 2.4 薄膜的分析表征技术 | 第28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 薄膜晶体管器件的制备及研究 | 第30-48页 |
| 3.1 实验设计 | 第30页 |
| 3.2 薄膜晶体管器件的制备及测试 | 第30-34页 |
| 3.2.1 基片清洗 | 第31页 |
| 3.2.2 绝缘层制备 | 第31-32页 |
| 3.2.3 有源层制备 | 第32-33页 |
| 3.2.4 金属电极制备 | 第33-34页 |
| 3.2.5 器件性能的测试 | 第34页 |
| 3.3 ZrO_2绝缘层修饰对器件性能影响的研究 | 第34-42页 |
| 3.3.1 绝缘层修饰对ZrO_2薄膜电学特性的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.2 绝缘层修饰对ZrO_2薄膜表面形貌 | 第36-38页 |
| 3.3.3 绝缘层修饰对Pentacene薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.4 绝缘层修饰对器件性能的影响 | 第39-42页 |
| 3.4 ZrO_2绝缘层厚度对器件性能影响的研究 | 第42-47页 |
| 3.4.1 ZrO_2绝缘层厚度对薄膜结晶性的影响 | 第43页 |
| 3.4.2 ZrO_2绝缘层厚度对薄膜电学特性的影响 | 第43-44页 |
| 3.4.3 ZrO_2厚度对绝缘层表面形貌的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.4 ZrO_2绝缘层厚度对器件性能的影响 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于Pentacene的叠层结构薄膜晶体管器件 | 第48-56页 |
| 4.1 实验设计 | 第48-49页 |
| 4.2 基于Pentacene的叠层结构薄膜晶体管器件的制备 | 第49页 |
| 4.3 叠层结构对于活性层形貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.4 叠层结构对于薄膜晶体管器件性能的影响 | 第50-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第64页 |
