| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 CIGS薄膜太阳电池简介 | 第12-15页 |
| 1.3 CIGS薄膜太阳电池的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.4 提升CIGS薄膜太阳电池性能的关键因素 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文的研究意义及主要内容 | 第19-21页 |
| 第2章 材料和器件的制备方法及表征手段 | 第21-36页 |
| 2.1 材料制备方法及原理 | 第21-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 | 第21-23页 |
| 2.1.2 蒸发技术 | 第23-25页 |
| 2.1.3 化学水浴沉积 | 第25-27页 |
| 2.2 材料和器件的测试与表征 | 第27-36页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第27页 |
| 2.2.2 四探针方块电阻测试仪 | 第27-28页 |
| 2.2.3 霍尔(Hall)测试 | 第28-30页 |
| 2.2.4 紫外-可见-近红外光谱 | 第30-31页 |
| 2.2.5 X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
| 2.2.6 扫描电子显微镜(SEM) | 第32页 |
| 2.2.7 光致发光谱(PL) | 第32页 |
| 2.2.8 太阳电池光谱响应(EQE) | 第32-33页 |
| 2.2.9 半导体器件分析仪(C-V测试) | 第33-34页 |
| 2.2.10 太阳光模拟器(I-V测试) | 第34-36页 |
| 第3章 射频磁控溅射制备AZO薄膜及对CIGS太阳电池的影响 | 第36-45页 |
| 3.1 氧流量对射频磁控溅射制备AZO薄膜的影响 | 第36-41页 |
| 3.1.1 氧流量对AZO薄膜的表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.2 氧流量对AZO薄膜的结构特性的影响 | 第38-40页 |
| 3.1.3 氧流量对AZO薄膜的电学特性的影响 | 第40-41页 |
| 3.1.4 氧流量对AZO薄膜的光学特性的影响 | 第41页 |
| 3.2 氧流量对CIGS太阳电池的影响 | 第41-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 反应磁控溅射制备AZO薄膜及对CIGS太阳电池的影响 | 第45-58页 |
| 4.1 直流反应溅射控制器三种模式 | 第45-46页 |
| 4.2 直流反应溅射不同Al含量Zn:Al靶材制备AZO薄膜 | 第46-52页 |
| 4.2.1 靶电压与气体流量的分析 | 第46-49页 |
| 4.2.2 氧分压对AZO薄膜的表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.3 氧分压对AZO薄膜的结构特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.4 氧分压对AZO薄膜的光学特性的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.5 靶电压对AZO薄膜的电学特性的影响 | 第52页 |
| 4.3 直流反应溅射制备的AZO薄膜对CIGS太阳电池IV特性影响 | 第52-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 CIGS/CdS界面性能优化及对CIGS太阳电池的影响 | 第58-73页 |
| 5.1 CdS薄膜后退火处理对CIGS/CdS异质结及太阳电池的影响 | 第58-68页 |
| 5.1.1 退火处理工艺对CIGS太阳电池IV特性的影响 | 第59-61页 |
| 5.1.2 退火处理工艺对CIGS/CdS异质结及太阳电池形貌和组分的影响 | 第61-63页 |
| 5.1.3 退火处理工艺对CIGS/CdS异质结特性影响 | 第63-66页 |
| 5.1.4 退火处理工艺的进一步优化 | 第66-68页 |
| 5.2 碱金属掺杂后处理对CIGS/CdS异质结及太阳电池的影响 | 第68-71页 |
| 5.2.1 PDT-KF对CIGS太阳电池特性影响 | 第68-69页 |
| 5.2.2 PDT-KF对CIGS/CdS异质结特性影响 | 第69-71页 |
| 5.3 本章小结 | 第71-73页 |
| 第6章 总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第85-86页 |
