| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-26页 |
| 1.1 石墨烯 | 第7-11页 |
| 1.1.1 石墨烯的概述 | 第7页 |
| 1.1.2 石墨烯的功能化 | 第7-11页 |
| 1.2 石墨烯量子点 | 第11-18页 |
| 1.2.1 石墨烯量子点(GQDs)的性质 | 第11页 |
| 1.2.2 石墨烯量子点(GQDs)的制备 | 第11-16页 |
| 1.2.3 石墨烯量子点的应用 | 第16-18页 |
| 1.3 响应不同刺激的智能高分子 | 第18-24页 |
| 1.3.1 智能高分子的种类 | 第18-23页 |
| 1.3.2 智能高分子的应用 | 第23-24页 |
| 1.4 本课题的意义 | 第24-26页 |
| 第二章 石墨烯量子点的制备及表征 | 第26-42页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-30页 |
| 2.2.1 主要试剂 | 第26-27页 |
| 2.2.2 主要仪器 | 第27页 |
| 2.2.3 氧化石墨烯片的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.4 通过水热法合成改性石墨烯量子点 | 第28-29页 |
| 2.2.5 GQD-PEI 的荧光光谱测定 | 第29-30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-41页 |
| 2.3.1 GQD-PEI 的制备 | 第30页 |
| 2.3.2 不同测量温度对 GQD-PEI 荧光光谱的影响 | 第30-31页 |
| 2.3.3 制备温度对 GQD-PEI 荧光光谱的影响 | 第31-32页 |
| 2.3.4 不同反应投料比对 GQD-PEI 荧光光谱的影响 | 第32-35页 |
| 2.3.5 红外光谱图的表征与分析 | 第35-36页 |
| 2.3.6 元素分析的表征与分析 | 第36-37页 |
| 2.3.7 核磁谱图的表征与分析 | 第37-39页 |
| 2.3.8 透射电镜和动态光散射的表征与分析 | 第39-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 多重刺激响应的石墨烯量子点的制备及表征 | 第42-62页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 实验部分 | 第42-46页 |
| 3.2.1 主要试剂 | 第42-43页 |
| 3.2.2 主要仪器 | 第43页 |
| 3.2.3 多重刺激响应型 T-GQD 的合成 | 第43-44页 |
| 3.2.4 不同条件 T-GQD 浊点(CP)的测定 | 第44-45页 |
| 3.2.5 T-GQD 与客体分子的包裹和释放研究 | 第45-46页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第46-61页 |
| 3.3.1 T-GQD 的制备 | 第46-47页 |
| 3.3.2 核磁表征与分析 | 第47-48页 |
| 3.3.3 红外光谱表征与分析 | 第48-49页 |
| 3.3.4 浊点及ΔT1/2的定义 | 第49-51页 |
| 3.3.5 不同浓度对 T-GQD 浊点的影响 | 第51-52页 |
| 3.3.6 不同异丁酰化程度对 T-GQD 浊点的影响 | 第52-53页 |
| 3.3.7 不同 pH 值对 T-GQD 浊点的影响 | 第53-54页 |
| 3.3.8 不同阴离子对 T-GQD 浊点的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.9 不同有机物对 T-GQD 影响 | 第55-58页 |
| 3.3.10 不同条件对 T-GQD 荧光性能的影响 | 第58-59页 |
| 3.3.11 T-GQD 对客体分子释放性能的分析 | 第59-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
