| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第14-46页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 钙钛矿 | 第14-22页 |
| 1.2.1 阳离子有序钙钛矿 | 第16-18页 |
| 1.2.2 晶体场劈裂和轨道角动量淬灭 | 第18-19页 |
| 1.2.3 Jahn-Teller效应和轨道序 | 第19-22页 |
| 1.3 磁电耦合效应 | 第22-24页 |
| 1.4 多铁性材料 | 第24-38页 |
| 1.4.1 多铁材料的研究历史 | 第25页 |
| 1.4.2 多铁材料研究的意义 | 第25-26页 |
| 1.4.3 单相多铁材料的分类 | 第26-27页 |
| 1.4.4 Ⅰ类多铁性材料 | 第27-29页 |
| 1.4.5 Ⅱ类多铁材料从物理到材料 | 第29-37页 |
| 1.4.6 朗道唯象理论 | 第37-38页 |
| 1.5 高压物理学及其在多铁研究中的应用 | 第38-43页 |
| 1.5.1 高压的初步认识 | 第38页 |
| 1.5.2 高压物理的发展历史及其范畴 | 第38-39页 |
| 1.5.3 高压对物性的影响以及高压合成的特点 | 第39-41页 |
| 1.5.4 高压在多材料中的应用 | 第41-43页 |
| 1.6 选题的出发点 | 第43-44页 |
| 1.7 本文的主要内容及创新点 | 第44-46页 |
| 第2章 实验原理和方法 | 第46-64页 |
| 2.1 样品合成 | 第46页 |
| 2.2 高压合成技术 | 第46-49页 |
| 2.2.1 高压装置 | 第46-47页 |
| 2.2.2 压强标定 | 第47-48页 |
| 2.2.3 叶腊石立方块组装 | 第48-49页 |
| 2.2.4 高压合成中注意事项 | 第49页 |
| 2.3 结构表征 | 第49-53页 |
| 2.3.1 晶体衍射 | 第49-51页 |
| 2.3.2 粉末衍射原理及其实验 | 第51-52页 |
| 2.3.3 X-射线衍射 | 第52页 |
| 2.3.4 同步辐射 | 第52页 |
| 2.3.5 中子衍射 | 第52-53页 |
| 2.4 物性表征 | 第53-60页 |
| 2.4.1 物性测量系统(PPMS)概述 | 第53-54页 |
| 2.4.2 磁性测量系统(MPMS3) | 第54-55页 |
| 2.4.3 介电常数 | 第55-57页 |
| 2.4.4 铁电性能 | 第57-60页 |
| 2.5 基于PPMS多铁测试系统的搭建 | 第60-64页 |
| 第3章 A位有序钙钛矿新型多铁材料BiMn_3Cr_4O_(12)物性研究 | 第64-86页 |
| 3.1 背景介绍 | 第64-65页 |
| 3.2 实验细节 | 第65-66页 |
| 3.3 实验结果 | 第66-80页 |
| 3.3.1 BiMn_3Cr_4O_(12)的晶体结构表征 | 第66-71页 |
| 3.3.2 磁性和比热实验 | 第71-72页 |
| 3.3.3 中子粉末衍射和磁结构 | 第72-74页 |
| 3.3.4 介电常数 | 第74-75页 |
| 3.3.5 热释电实验 | 第75-77页 |
| 3.3.6 电滞回线P-E loop | 第77-78页 |
| 3.3.7 磁电耦合效应研究 | 第78-80页 |
| 3.4 讨论 | 第80-84页 |
| 3.4.1 自旋诱导的FE2相 | 第80-82页 |
| 3.4.2 Ⅰ类多铁相FE1相 | 第82-83页 |
| 3.4.3 四极化态 | 第83-84页 |
| 3.5 小结 | 第84-86页 |
| 第4章 A位有序钙钛矿CdMn_3Mn_4O_(12)多铁性研究 | 第86-102页 |
| 4.1 背景 | 第86-87页 |
| 4.2 实验部分 | 第87-88页 |
| 4.3 实验结果 | 第88-97页 |
| 4.3.1 晶体结构及其相变 | 第88-91页 |
| 4.3.2 磁性 | 第91-93页 |
| 4.3.3 介电常数 | 第93-94页 |
| 4.3.4 CdMn_7O_(12)的热释电实验 | 第94-96页 |
| 4.3.5 中子粉末衍射和磁结构 | 第96-97页 |
| 4.4 讨论 | 第97-100页 |
| 4.4.1 高温相的顺电性 | 第97-98页 |
| 4.4.2 低温相的铁电性 | 第98-100页 |
| 4.5 小结 | 第100-102页 |
| 第5章 总结和展望 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-112页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
