高性能的MHz级DC-DC变换器的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展 | 第10-12页 |
| 1.3 隔离型DC-DC变换器的分类 | 第12-15页 |
| 1.3.1 正激型变换器 | 第12页 |
| 1.3.2 反激式变换器 | 第12-13页 |
| 1.3.3 推挽变换器 | 第13-14页 |
| 1.3.4 半桥式变换器 | 第14页 |
| 1.3.5 全桥式变换器 | 第14-15页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第2章 有源钳位型反激转换器的工作原理 | 第16-30页 |
| 2.1 反激型转换器的钳位技术 | 第16-19页 |
| 2.1.1 反激变换器的工作原理 | 第16-18页 |
| 2.1.2 各种钳位方法 | 第18-19页 |
| 2.2 有源钳位型反激转换器的结构 | 第19-23页 |
| 2.2.1 高边有源钳位 | 第20-21页 |
| 2.2.2 低边有源钳位 | 第21-22页 |
| 2.2.3 高边与低边有源钳位的对比 | 第22-23页 |
| 2.3 有源钳位型反激转换器的原理分析 | 第23-29页 |
| 2.3.1 有源钳位型反激转换器的工作过程 | 第23-27页 |
| 2.3.2 软开关实现的条件 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 GaN开关管驱动电路的设计 | 第30-38页 |
| 3.1 GaN晶体管的特性 | 第30-34页 |
| 3.1.1 GaN材料 | 第30-31页 |
| 3.1.2 GaN晶体管的分类 | 第31-32页 |
| 3.1.3 单体增强型GaN晶体管的特性 | 第32-34页 |
| 3.2 驱动电路的设计 | 第34-37页 |
| 3.2.1 GaN晶体管存在的问题 | 第34-36页 |
| 3.2.2 几种高频驱动电路的比较 | 第36-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 平面变压器的设计 | 第38-45页 |
| 4.1 平面变压器的工程设计 | 第38-42页 |
| 4.1.1 初选磁芯 | 第39-40页 |
| 4.1.2 选取工作磁通密度 | 第40-41页 |
| 4.1.3 计算变压器匝数 | 第41页 |
| 4.1.4 绕组线宽 | 第41-42页 |
| 4.1.5 气隙 | 第42页 |
| 4.2 平面变压器的漏感与损耗的仿真 | 第42-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 硬件电路的设计 | 第45-55页 |
| 5.1 开关器件的选型 | 第45-46页 |
| 5.2 驱动电路的设计 | 第46-48页 |
| 5.3 钳位电容的选型 | 第48页 |
| 5.3.1 钳位电容的耐压 | 第48页 |
| 5.3.2 钳位电容的电容值 | 第48页 |
| 5.4 控制电路的设计 | 第48-52页 |
| 5.4.1 控制芯片LM5026 | 第48-49页 |
| 5.4.2 外围电路参数设计 | 第49-52页 |
| 5.5 电压反馈设计 | 第52-53页 |
| 5.6 输出电容计算 | 第53-54页 |
| 5.7 本章小结 | 第54-55页 |
| 第6章 实验结果及分析 | 第55-60页 |
| 6.1 实验原理图及PCB布局 | 第55-57页 |
| 6.2 实验波形及分析 | 第57-59页 |
| 6.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第7章 总结与展望 | 第60-61页 |
| 7.1 本文完成的工作 | 第60页 |
| 7.2 工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
