| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-14页 |
| 1.2 碳化硅概述 | 第14-20页 |
| 1.2.1 SiC的结构 | 第14-16页 |
| 1.2.2 SiC纳米材料的合成 | 第16-18页 |
| 1.2.3 SiC纳米材料的性质及应用 | 第18-20页 |
| 1.3 微波加热技术在制备纳米材料中的应用 | 第20-21页 |
| 1.3.1 微波加热技术 | 第20页 |
| 1.3.2 微波加热技术制备SiC纳米材料 | 第20-21页 |
| 1.4 场发射理论简介及发展 | 第21-24页 |
| 1.4.1 场发射理论简介 | 第21-23页 |
| 1.4.2 场发射特性影响因素 | 第23页 |
| 1.4.3 场发射阴极材料的应用及现状 | 第23-24页 |
| 1.5 本课题的设计思路及研究内容 | 第24-26页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第24-25页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第25页 |
| 1.5.3 主要创新点 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方法与测试分析 | 第26-33页 |
| 2.1 实验原料和仪器设备 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第26-27页 |
| 2.1.2 仪器设备 | 第27页 |
| 2.2 样品制备方法 | 第27-28页 |
| 2.2.1 微波技术下样品的合成 | 第27-28页 |
| 2.2.2 场发射测试样品的制备 | 第28页 |
| 2.3 测试与表征 | 第28-33页 |
| 2.3.1 结构表征 | 第28-30页 |
| 2.3.2 形貌分析 | 第30页 |
| 2.3.3 光学性能测试 | 第30-31页 |
| 2.3.4 场致发射性能测试 | 第31-33页 |
| 第三章 高能微波法制备SiC纳米材料及其结构和性质分析 | 第33-45页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验样品制备 | 第33-34页 |
| 3.2.1 高能微波辐照合成SiC纳米材料 | 第33-34页 |
| 3.2.2 马弗炉氧化处理去除残碳 | 第34页 |
| 3.2.3 氢氟酸腐蚀处理去除氧化硅 | 第34页 |
| 3.3 实验结果讨论 | 第34-44页 |
| 3.3.1 样品宏观结果观测 | 第34-35页 |
| 3.3.2 SiC纳米材料的XRD物相分析 | 第35页 |
| 3.3.3 SiC纳米材料的SEM形貌观察及EDS表征 | 第35-38页 |
| 3.3.4 SiC纳米材料的TEM和HRTEM表征 | 第38-42页 |
| 3.3.5 SiC纳米材料的光学性能研究 | 第42-43页 |
| 3.3.6 SiC纳米材料的场发射性能研究 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 催化剂对高能微波法制备SiC纳米线的影响 | 第45-60页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 实验样品制备 | 第46页 |
| 4.2.1 含催化剂基板的预处理 | 第46页 |
| 4.2.2 高能微波辐照制样 | 第46页 |
| 4.3 实验结果讨论 | 第46-59页 |
| 4.3.1 样品宏观结果观测 | 第46-47页 |
| 4.3.2 SiC纳米线的SEM形貌表征 | 第47-54页 |
| 4.3.3 SiC纳米材料的TEM结构分析 | 第54-56页 |
| 4.3.4 SiC纳米材料的光致发光性能研究 | 第56-57页 |
| 4.3.5 SiC纳米材料的场发射性能研究 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 试管刷状SiC/SiO_x同轴纳米线的成因及优异场发射特性 | 第60-70页 |
| 5.1 研究背景 | 第60页 |
| 5.2 试管刷状SiC/SiO_x同轴纳米线的形成原因 | 第60-64页 |
| 5.3 试管刷状SiC/SiO_x同轴纳米线优异场发射特性的影响因素 | 第64-69页 |
| 5.3.1 有效发射位点 | 第65-66页 |
| 5.3.2 长径比 | 第66-67页 |
| 5.3.3 异质结构 | 第67-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-73页 |
| 6.1 结论 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 攻读硕士期间发表的文章与专利 | 第81页 |
| 攻读硕士学位期间获奖情况 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
