| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-31页 |
| 1.1 石墨烯的发展历程 | 第16-18页 |
| 1.2 石墨烯的结构 | 第18页 |
| 1.3 石墨烯的性质 | 第18-19页 |
| 1.4 石墨烯的合成方法 | 第19-22页 |
| 1.4.1 碳化硅外延生长法 | 第19-20页 |
| 1.4.2 化学气相沉积法 | 第20-22页 |
| 1.4.3 氧化还原法 | 第22页 |
| 1.5 石墨烯的应用前景 | 第22-29页 |
| 1.5.1 石墨烯在太阳能电池中的应用前景 | 第22-24页 |
| 1.5.2 石墨烯在红外光电探测器中的应用前景 | 第24-26页 |
| 1.5.3 石墨烯在其它方面的应用前景 | 第26-29页 |
| 1.6 本课题研究背景与主要内容 | 第29-31页 |
| 第二章 实验药品与仪器设备 | 第31-36页 |
| 2.1 实验所用药品及用途 | 第31-32页 |
| 2.2 实验所需的仪器设备 | 第32-36页 |
| 2.2.1 材料合成过程中所需要的设备 | 第32-33页 |
| 2.2.2 器件制备所需的仪器设备 | 第33-34页 |
| 2.2.3 材料和器件表征与测试所需的仪器设备 | 第34-36页 |
| 第三章 大规模石墨烯的合成与转移 | 第36-44页 |
| 3.1 大规模石墨烯的合成 | 第36-40页 |
| 3.1.1 大面积CVD石墨烯合成过程的探索 | 第36-38页 |
| 3.1.2 大面积单层石墨烯合成机理分析 | 第38页 |
| 3.1.3 石墨烯常用表征方法 | 第38-40页 |
| 3.2 大面积石墨烯的转移 | 第40-42页 |
| 3.2.1 转移方法的探索 | 第40-41页 |
| 3.2.2 转移中铜刻蚀液的选择 | 第41-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 基于石墨烯与砷化镓自驱动近红外光电探测器 | 第44-55页 |
| 4.1 前言介绍 | 第44-45页 |
| 4.2 BLG/AlOx/GaAs肖特基结的制备和性能 | 第45-51页 |
| 4.2.1 BLG/AlOx/GaAs肖特基结的制备 | 第45页 |
| 4.2.2 BLG/AlOx/GaAs肖特基结近红外探测器的结构表征 | 第45-46页 |
| 4.2.3 BLG/AlOx/GaAs肖特基结的近红外探测器的性能表征 | 第46-51页 |
| 4.3 BLG/AlOx/GaAs肖特基结近红外探测器的理论分析 | 第51-52页 |
| 4.4 BLG/AlOx/GaAs肖特基结近红外光电探测器可靠分析 | 第52-53页 |
| 4.5 BLG/AlOx/GaAs肖特基结响应度低的讨论 | 第53-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 基于石墨烯与硒化镉纳米带的太阳能电池 | 第55-64页 |
| 5.1 前言介绍 | 第55页 |
| 5.2 n型CdSe纳米带的合成与表征 | 第55-59页 |
| 5.2.1 n型CdSe纳米带的合成 | 第55-57页 |
| 5.2.2 n型CdSe纳米带的表征 | 第57-59页 |
| 5.3 BLG/n-CdSe纳米带太阳能电池的制备和性能 | 第59-63页 |
| 5.3.1 BLG/n-CdSe纳米带肖特基结的制备 | 第59-60页 |
| 5.3.2 BLG/n-CdSe纳米带肖特基结的结构表征 | 第60-61页 |
| 5.3.3 BLG/n-CdSe纳米带肖特基结的光伏性能 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士期间的主要成果 | 第70-71页 |
