| CONTENTS | 第7-10页 |
| 摘要 | 第10-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 GaN材料的发展现状及应用前景 | 第14-15页 |
| 1.1.1 GaN材料在光电器件中的应用 | 第14页 |
| 1.1.2 GaN材料在应用中存在的问题 | 第14-15页 |
| 1.2 GaN材料的基本性质 | 第15-16页 |
| 1.2.1 GaN的物理特性 | 第15页 |
| 1.2.2 GaN的化学特性 | 第15页 |
| 1.2.3 GaN的光学特性 | 第15-16页 |
| 1.2.4 GaN的电学特性 | 第16页 |
| 1.3 GaN材料的生长方法 | 第16-17页 |
| 1.3.1 单晶材料的生长方法 | 第16页 |
| 1.3.2 薄膜材料的生长方法(氢化物气相外延HVPE；金属有机气相化学沉积MOCVD；分子束外延MBE) | 第16-17页 |
| 1.4 纳米多孔GaN材料的研究意义、制备方法、特性表征及其应用 | 第17-19页 |
| 1.4.1 纳米多孔GaN薄膜材料的研究意义 | 第17页 |
| 1.4.2 现行的纳米多孔GaN薄膜材料制备方法概述 | 第17-18页 |
| 1.4.3 纳米多孔GaN薄膜材料的性质研究 | 第18页 |
| 1.4.4 纳米多孔GaN薄膜材料的应用 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 第二章 实验设备和测试方法 | 第20-26页 |
| 2.1 实验设备 | 第20-21页 |
| 2.1.1 电化学刻蚀仪 | 第20页 |
| 2.1.2 退火炉 | 第20页 |
| 2.1.3 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第20-21页 |
| 2.2 测试方法 | 第21-26页 |
| 2.2.1 表面形貌测试方法(AFM、SEM) | 第21-23页 |
| 2.2.2 晶体结构测试方法(TEM) | 第23页 |
| 2.2.3 物质成分测试方法(XRD、XPS) | 第23-25页 |
| 2.2.4 发光特性的表征(PL) | 第25页 |
| 2.2.5 力学特性的表征(Raman) | 第25-26页 |
| 第三章 电化学方法制备纳米多孔GaN的机理研究 | 第26-37页 |
| 3.1 研究现状(纳米多孔GaN材料的制备方法概述) | 第26-27页 |
| 3.2 研究意义 | 第27页 |
| 3.3 实验参数与过程 | 第27-28页 |
| 3.4 实验结果 | 第28-35页 |
| 3.4.1 升压刻蚀的I-V曲线研究 | 第28-29页 |
| 3.4.2 恒压下的I-t曲线研究 | 第29-30页 |
| 3.4.3 刻蚀时间对刻蚀的影响 | 第30-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第四章 自支撑纳米多孔GaN薄膜的制备 | 第37-45页 |
| 4.1 自支撑GaN薄膜的研究意义 | 第37页 |
| 4.2 电化学刻蚀法制备自支撑GaN薄膜实验 | 第37-38页 |
| 4.3 单晶GaN薄膜与GaN缓冲层处侧向刻蚀过程的研究 | 第38-40页 |
| 4.3.1 刻蚀电压对侧向刻蚀的影响 | 第38-39页 |
| 4.3.2 刻蚀时间对侧向刻蚀的影响 | 第39-40页 |
| 4.5 自支撑纳米多孔GaN薄膜的制备 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第五章 纳米多孔GaN薄膜的特性表征 | 第45-55页 |
| 5.1 纳米多孔GaN薄膜的特性 | 第45页 |
| 5.2 纳米多孔GaN薄膜参数 | 第45-46页 |
| 5.3 通过Raman光谱对纳米多孔GaN薄膜进行表征 | 第46-49页 |
| 5.3.1 Raman光谱数据分析 | 第46-49页 |
| 5.4 纳米多孔GaN薄膜的光致发光谱(PL谱) | 第49-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第六章 纳米多孔GaN薄膜的退火特性研究 | 第55-76页 |
| 6.1 纳米多孔GaN薄膜的退火 | 第55页 |
| 6.1.1 退火的气体环境 | 第55页 |
| 6.1.2 退火的温度 | 第55页 |
| 6.2 多孔GaN材料的氧化 | 第55-56页 |
| 6.2.1 干法氧化 | 第55-56页 |
| 6.2.2 湿法氧化 | 第56页 |
| 6.3 纳米多孔GaN薄膜的退火 | 第56-64页 |
| 6.3.1 实验过程与参数 | 第56页 |
| 6.3.2 800℃下退火的物相变化 | 第56-57页 |
| 6.3.3 800℃下退火后样品表面形貌的变化 | 第57-61页 |
| 6.3.4 氧气环境中800℃下退火后样品内部孔洞的形态变化 | 第61-64页 |
| 6.4 退火氧化纳米多孔GaN薄膜制备GaN/Ga_2O_3异质结构的纳米尖端 | 第64-74页 |
| 6.4.1 纳米结构制备的研究意义及研究现状 | 第64页 |
| 6.4.2 实验过程与实验参数 | 第64-65页 |
| 6.4.3 实验结果及分析 | 第65-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第七章 多孔GaN为缓冲层生长Ga_2O_3制备GaN/Ga_2O_3异质结构 | 第76-84页 |
| 7.1 多孔GaN做缓冲层生长Ga_2O_3的优势 | 第76页 |
| 7.2 GaN/Ga_2O_3异质结构的用途 | 第76-77页 |
| 7.3 实验过程与实验参数 | 第77-78页 |
| 7.4 实验结果分析 | 第78-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第八章 结论 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第87-88页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第88页 |
