首页--数理科学和化学论文--物理学论文--固体物理学论文--薄膜物理学论文--薄膜的生长、结构和外延论文

纳米多孔GaN薄膜的制备及相关性质的研究

CONTENTS第7-10页
摘要第10-11页
ABSTRACT第11-12页
符号说明第13-14页
第一章 绪论第14-20页
    1.1 GaN材料的发展现状及应用前景第14-15页
        1.1.1 GaN材料在光电器件中的应用第14页
        1.1.2 GaN材料在应用中存在的问题第14-15页
    1.2 GaN材料的基本性质第15-16页
        1.2.1 GaN的物理特性第15页
        1.2.2 GaN的化学特性第15页
        1.2.3 GaN的光学特性第15-16页
        1.2.4 GaN的电学特性第16页
    1.3 GaN材料的生长方法第16-17页
        1.3.1 单晶材料的生长方法第16页
        1.3.2 薄膜材料的生长方法(氢化物气相外延HVPE;金属有机气相化学沉积MOCVD;分子束外延MBE)第16-17页
    1.4 纳米多孔GaN材料的研究意义、制备方法、特性表征及其应用第17-19页
        1.4.1 纳米多孔GaN薄膜材料的研究意义第17页
        1.4.2 现行的纳米多孔GaN薄膜材料制备方法概述第17-18页
        1.4.3 纳米多孔GaN薄膜材料的性质研究第18页
        1.4.4 纳米多孔GaN薄膜材料的应用第18-19页
    参考文献第19-20页
第二章 实验设备和测试方法第20-26页
    2.1 实验设备第20-21页
        2.1.1 电化学刻蚀仪第20页
        2.1.2 退火炉第20页
        2.1.3 金属有机化学气相沉积(MOCVD)第20-21页
    2.2 测试方法第21-26页
        2.2.1 表面形貌测试方法(AFM、SEM)第21-23页
        2.2.2 晶体结构测试方法(TEM)第23页
        2.2.3 物质成分测试方法(XRD、XPS)第23-25页
        2.2.4 发光特性的表征(PL)第25页
        2.2.5 力学特性的表征(Raman)第25-26页
第三章 电化学方法制备纳米多孔GaN的机理研究第26-37页
    3.1 研究现状(纳米多孔GaN材料的制备方法概述)第26-27页
    3.2 研究意义第27页
    3.3 实验参数与过程第27-28页
    3.4 实验结果第28-35页
        3.4.1 升压刻蚀的I-V曲线研究第28-29页
        3.4.2 恒压下的I-t曲线研究第29-30页
        3.4.3 刻蚀时间对刻蚀的影响第30-35页
    参考文献第35-37页
第四章 自支撑纳米多孔GaN薄膜的制备第37-45页
    4.1 自支撑GaN薄膜的研究意义第37页
    4.2 电化学刻蚀法制备自支撑GaN薄膜实验第37-38页
    4.3 单晶GaN薄膜与GaN缓冲层处侧向刻蚀过程的研究第38-40页
        4.3.1 刻蚀电压对侧向刻蚀的影响第38-39页
        4.3.2 刻蚀时间对侧向刻蚀的影响第39-40页
    4.5 自支撑纳米多孔GaN薄膜的制备第40-42页
    参考文献第42-45页
第五章 纳米多孔GaN薄膜的特性表征第45-55页
    5.1 纳米多孔GaN薄膜的特性第45页
    5.2 纳米多孔GaN薄膜参数第45-46页
    5.3 通过Raman光谱对纳米多孔GaN薄膜进行表征第46-49页
        5.3.1 Raman光谱数据分析第46-49页
    5.4 纳米多孔GaN薄膜的光致发光谱(PL谱)第49-52页
    参考文献第52-55页
第六章 纳米多孔GaN薄膜的退火特性研究第55-76页
    6.1 纳米多孔GaN薄膜的退火第55页
        6.1.1 退火的气体环境第55页
        6.1.2 退火的温度第55页
    6.2 多孔GaN材料的氧化第55-56页
        6.2.1 干法氧化第55-56页
        6.2.2 湿法氧化第56页
    6.3 纳米多孔GaN薄膜的退火第56-64页
        6.3.1 实验过程与参数第56页
        6.3.2 800℃下退火的物相变化第56-57页
        6.3.3 800℃下退火后样品表面形貌的变化第57-61页
        6.3.4 氧气环境中800℃下退火后样品内部孔洞的形态变化第61-64页
    6.4 退火氧化纳米多孔GaN薄膜制备GaN/Ga_2O_3异质结构的纳米尖端第64-74页
        6.4.1 纳米结构制备的研究意义及研究现状第64页
        6.4.2 实验过程与实验参数第64-65页
        6.4.3 实验结果及分析第65-74页
    参考文献第74-76页
第七章 多孔GaN为缓冲层生长Ga_2O_3制备GaN/Ga_2O_3异质结构第76-84页
    7.1 多孔GaN做缓冲层生长Ga_2O_3的优势第76页
    7.2 GaN/Ga_2O_3异质结构的用途第76-77页
    7.3 实验过程与实验参数第77-78页
    7.4 实验结果分析第78-82页
    参考文献第82-84页
第八章 结论第84-86页
致谢第86-87页
硕士期间发表论文目录第87-88页
学位论文评阅及答辩情况表第88页

论文共88页,点击 下载论文
上一篇:片状钡铁氧体的制备
下一篇:Sr3Co2Fe24O41六角铁氧体化学态、电学和磁学性能研究