| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 石墨烯的结构、性质及其应用 | 第8-9页 |
| 1.2 石墨烯的 CVD 法制备及影响因素 | 第9-12页 |
| 1.2.1 石墨烯的 CVD 法制备 | 第10页 |
| 1.2.2 影响 CVD 法合成石墨烯质量的因素 | 第10-12页 |
| 1.3 CVD 合成石墨烯的研究现状及存在的问题 | 第12-25页 |
| 1.3.1 CVD 合成石墨烯的研究现状 | 第12-22页 |
| 1.3.2 CVD 合成石墨烯的研究中存在的问题 | 第22-23页 |
| 1.3.3 使用 CO_2化学气相合成石墨烯 | 第23-25页 |
| 1.4 本课题的研究目的及内容 | 第25-27页 |
| 2 实验部分 | 第27-34页 |
| 2.1 实验试剂和材料 | 第27页 |
| 2.2 实验仪器 | 第27-28页 |
| 2.3 铜箔清洗与铜膜的制备 | 第28-29页 |
| 2.4 铜箔或铜膜 CVD 合成石墨烯的方法 | 第29-30页 |
| 2.5 石墨烯的转移方法 | 第30页 |
| 2.6 金属基底及石墨烯的表征 | 第30-34页 |
| 2.6.1 高分辨率光学显微镜 | 第30-31页 |
| 2.6.2 X 射线衍射 | 第31页 |
| 2.6.3 扫描电子显微镜 | 第31-32页 |
| 2.6.4 电子背射散射衍射 | 第32页 |
| 2.6.5 拉曼光谱测试 | 第32-33页 |
| 2.6.6 原子力显微镜 | 第33-34页 |
| 3 铜箔和铜膜的表面结构诱导的 CVD 合成石墨烯的差异 | 第34-44页 |
| 3.1 前言 | 第34页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第34-43页 |
| 3.2.1 反应前后铜箔和铜膜表面结构的变化 | 第34-38页 |
| 3.2.2 甲烷气体流量对铜箔和铜膜表面石墨烯生长的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 氢气气体流量对铜箔和铜膜表面石墨烯生长的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.4 铜箔和铜膜上石墨烯不同生长情况的讨论 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 CO_2氢化合成石墨烯及其机理研究 | 第44-55页 |
| 4.1 前言 | 第44页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第44-54页 |
| 4.2.1 温度对 CO_2合成碳产物的影响 | 第44-47页 |
| 4.2.2 加氢退火对生成的无定形碳的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.3 CO_2流量对生成产物的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.4 加氢退火温度的作用 | 第51-53页 |
| 4.2.5 CO_2氢化合成石墨烯条件的讨论 | 第53-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 5 结论及展望 | 第55-57页 |
| 5.1 结论 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 附录 | 第64页 |
| A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第64页 |
