| 摘要 | 第9-13页 |
| Abstract | 第13-16页 |
| 第一章 计算化学方法简介 | 第17-27页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 量子化学计算 | 第17-23页 |
| 1.2.1 分子轨道理论 | 第18页 |
| 1.2.2 分子轨道从头算法 | 第18-19页 |
| 1.2.3 密度泛函理论(Density Function Theory,DFT) | 第19-23页 |
| 1.3 分子力学 | 第23-25页 |
| 1.3.1 分子力场及势能表达式 | 第23-24页 |
| 1.3.2 分子动力学模拟(MD) | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章 B3LYP杂化泛函中经验参数的优化 | 第27-111页 |
| 2.1 引言 | 第27-32页 |
| 2.2 B3LYP参数优化训练组(Training Set) | 第32-39页 |
| 2.2.1 电子亲和势(Electron Affinities,EA) | 第33页 |
| 2.2.2 电离势(Ionization Potentials,IP) | 第33-34页 |
| 2.2.3 原子化能(Atomization energies,Do) | 第34-35页 |
| 2.2.4 生成焓(Enthalpies of formation) | 第35-37页 |
| 2.2.5 电子亲和势、电离势、原子化能、生成焓的计算方法 | 第37-39页 |
| 2.3 B3LYP泛函中经验参数优化模型及方法 | 第39-44页 |
| 2.3.1 优化目标函数 | 第39-40页 |
| 2.3.2 优化方法简介 | 第40-43页 |
| 2.3.3 本文所采取的优化方法模型 | 第43-44页 |
| 2.4 B3LYP泛函中经验参数的优化 | 第44-74页 |
| 2.4.1 计算方法 | 第44-45页 |
| 2.4.2 参数优化 | 第45-55页 |
| 2.4.3 结果和讨论 | 第55-74页 |
| 2.5 m-B3LYP在测试组数据计算中的表现 | 第74-104页 |
| 2.5.1 原子化能 | 第75-76页 |
| 2.5.2 电子亲和能 | 第76-77页 |
| 2.5.3 电离势 | 第77-78页 |
| 2.5.4 质子亲和能(Proton Affinity,PA) | 第78-79页 |
| 2.5.5 生成焓 | 第79-89页 |
| 2.5.6 分子尺寸效应 | 第89-92页 |
| 2.5.7 测试组样本偏差分布总体分析 | 第92-94页 |
| 2.5.8 氢键、范德瓦尔弱相互作用能 | 第94-101页 |
| 2.5.9 反应势垒计算 | 第101-104页 |
| 本章小结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-111页 |
| 第三章 4-氨基安替比林吡唑啉酮类化合物电子结构及激发光谱研究 | 第111-145页 |
| 3.1 引言 | 第111-113页 |
| 3.2 理论方法模型 | 第113-117页 |
| 3.2.1 计算细节 | 第113-114页 |
| 3.2.2 结果和讨论 | 第114-117页 |
| 3.3 4-氨基安替比林(4-AAP)电子光谱及溶剂化效应对光谱吸收特性的影响 | 第117-125页 |
| 3.3.1 计算细节 | 第118页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第118-125页 |
| 3.4 4-氨基安替比林希夫碱衍生物电子结构、激发光谱研究 | 第125-140页 |
| 3.4.1 分子构型及电子结构 | 第126-131页 |
| 3.4.2 电子光谱及电子激发跃迁 | 第131-136页 |
| 3.4.3 异构化反应及溶剂效应对电子吸收光谱的影响 | 第136-140页 |
| 本章小结 | 第140-141页 |
| 参考文献 | 第141-145页 |
| 第四章 葫芦脲[6]与1-烷基-3-甲基咪唑类离子液体的超分子包合作用研究 | 第145-181页 |
| 4.1 引言 | 第145-148页 |
| 4.2 分子力学计算方法模型测试 | 第148-155页 |
| 4.2.1 葫芦脲CB6分子构型优化 | 第149-151页 |
| 4.2.2 PCFF力场模型下分子动力学模拟测试 | 第151-155页 |
| 4.3.[Cxmim]~+@CB6主客体包合物分子动力学模拟 | 第155-176页 |
| 4.3.1 分子动力学模拟计算细节 | 第157-158页 |
| 4.3.2 结果和讨论 | 第158-176页 |
| 本章小结 | 第176-177页 |
| 参考文献 | 第177-181页 |
| 致谢 | 第181-182页 |
| 附录表 | 第182-203页 |
