| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 前言 | 第10页 |
| 1.2 高分子电信息存储 | 第10-17页 |
| 1.2.1 器件结构及原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 存储器类型及其特征曲线 | 第11-14页 |
| 1.2.3 高分子信息存储器的机理 | 第14-17页 |
| 1.3 D-A型含芴功能高分子信息存储材料的研究进展 | 第17-26页 |
| 1.4 课题的提出及研究重点 | 第26-28页 |
| 第2章 以芴、咔唑和噁二唑为主链的共轭高分子的合成及记忆性能研究 | 第28-41页 |
| 2.1 前言 | 第28-29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-33页 |
| 2.2.1 仪器药品 | 第29-30页 |
| 2.2.2 器件制备 | 第30页 |
| 2.2.3 分子模拟 | 第30页 |
| 2.2.4 材料合成 | 第30-33页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第33-40页 |
| 2.3.1 核磁表征分析 | 第33页 |
| 2.3.2 热性质分析 | 第33-34页 |
| 2.3.3 紫外-可见和荧光光谱分析 | 第34-36页 |
| 2.3.4 电化学分析 | 第36-38页 |
| 2.3.5 记忆性能研究 | 第38-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 基于芴、三苯胺和氰基的D-A型高分子的合成及记忆性能研究 | 第41-51页 |
| 3.1 前言 | 第41页 |
| 3.2 实验部分 | 第41-44页 |
| 3.2.1 仪器药品 | 第42页 |
| 3.2.2 器件制备 | 第42页 |
| 3.2.3 材料合成 | 第42-44页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第44-50页 |
| 3.3.1 核磁表征分析 | 第44-45页 |
| 3.3.2 紫外-可见和荧光光谱分析 | 第45-47页 |
| 3.3.3 热性质分析 | 第47-48页 |
| 3.3.4 电化学分析 | 第48页 |
| 3.3.5 记忆性能研究 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 含芴和咔唑的共轭高分子共价修饰碳材料的制备及记忆性能研究 | 第51-64页 |
| 4.1 前言 | 第51-52页 |
| 4.2 实验部分 | 第52-55页 |
| 4.2.1 仪器药品 | 第52页 |
| 4.2.2 材料合成 | 第52-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-62页 |
| 4.3.1 核磁表征分析 | 第55页 |
| 4.3.2 紫外-可见和荧光光谱分析 | 第55-59页 |
| 4.3.3 红外光谱分析 | 第59-60页 |
| 4.3.4 拉曼光谱分析 | 第60-61页 |
| 4.3.5 热性质分析 | 第61-62页 |
| 4.3.6 记忆性能研究 | 第62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-77页 |
| 附录：硕士研究生期间发表论文目录 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
