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基于忆阻器的非线性电路特性研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第8-13页
    1.1 忆阻器简介第8-10页
    1.2 忆阻器电路应用的研究现状第10-11页
    1.3 本文的主要工作及结构安排第11-13页
第二章 忆阻器的非线性杂质漂移模型第13-22页
    2.1 忆阻器的物理模型第13-14页
    2.2 忆阻器的线性杂质漂移模型第14-15页
    2.3 两个忆阻器的串联与并联第15-17页
    2.4 忆阻器的非线性杂质漂移模型第17-21页
    2.6 本章小结第21-22页
第三章 MC、ML及MCL电路特性研究第22-32页
    3.1 MC电路第22-25页
    3.2 ML电路第25-28页
    3.3 MCL电路第28-31页
    3.5 本章小结第31-32页
第四章 忆阻器模拟电路及其低通滤波电路研究第32-41页
    4.1 忆阻器的电路模型第32-35页
    4.2 基于忆阻器的低通滤波电路第35-37页
    4.3 电路实验与分析第37-40页
    4.4 本章小结第40-41页
第五章 基于忆阻器的范德波尔振荡电路第41-52页
    5.1 荷控忆阻器与磁控忆阻器第41-43页
    5.2 基于忆阻器的范德波尔振荡电路第43页
    5.3 动力学分析与仿真研究第43-51页
        5.3.1 无外加激励的范德波尔振荡电路第43-47页
        5.3.2 有外加激励的范德波尔振荡电路第47-51页
    5.4 本章小结第51-52页
第六章 总结与展望第52-53页
参考文献第53-57页
致谢第57-58页
攻读学位期间发表论文情况第58页

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