| 目录 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第7页 |
| 1.2 研究意义 | 第7-8页 |
| 1.3 聚变堆材料概况 | 第8-10页 |
| 1.4 氢同位素在碳、钨材料中的滞留特性研究现状 | 第10-16页 |
| 1.4.1 氢同位素在碳、钨中的滞留机制 | 第10-11页 |
| 1.4.2 氢同位素滞留行为研究方法 | 第11页 |
| 1.4.3 托卡马克装置中的氢同位素滞留研究概述 | 第11-14页 |
| 1.4.4 氢同位素辐照损伤和结构效应的模拟实验研究简介 | 第14-15页 |
| 1.4.5 Magnetron(DC/RF)/Arc等方法制备的碳/钨沉积层中的氘滞留研究现状 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的研究内容及实验方法 | 第16-18页 |
| 第二章 制备方法与表征手段 | 第18-26页 |
| 2.1 制备方法--射频磁控溅射 | 第18-19页 |
| 2.2 表征手段 | 第19-26页 |
| 2.2.1 离子束分析(IBA) | 第19-22页 |
| 2.2.2 拉曼光谱(RS) | 第22页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
| 2.2.4 扫描电镜(SEM) | 第23页 |
| 2.2.5 热脱附谱(TDS) | 第23-26页 |
| 第三章 氘在碳钨共沉积薄膜中的滞留特性研究 | 第26-37页 |
| 3.1 样品的制备 | 第26-27页 |
| 3.2 薄膜的离子束分析 | 第27-31页 |
| 3.2.1 薄膜成分和沉积速率随氘氩流量比的变化 | 第28-29页 |
| 3.2.2 薄膜成分和沉积速率随基底温度的变化 | 第29-30页 |
| 3.2.3 薄膜成分和沉积速率随放电压强的变化 | 第30-31页 |
| 3.3 温度对薄膜微观结构的影响 | 第31-33页 |
| 3.3.1 拉曼光谱分析 | 第31-32页 |
| 3.3.2 XRD谱分析 | 第32-33页 |
| 3.4 温度对薄膜表面形貌的影响 | 第33-34页 |
| 3.5 薄膜的热脱附谱分析 | 第34-36页 |
| 3.6 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 文章总结与展望 | 第37-39页 |
| 4.1 总结 | 第37页 |
| 4.2 问题和展望 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |