| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 磁控溅射技术简介 | 第9-13页 |
| 1.1.1 气体放电及等离子体 | 第9页 |
| 1.1.2 磁控溅射技术的发展 | 第9-13页 |
| 1.2 研究背景 | 第13-14页 |
| 1.3 薄膜成分控制方法 | 第14-15页 |
| 1.4 薄膜材料的微观结构及性能研究 | 第15-17页 |
| 1.5 研究内容及技术路线 | 第17-19页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第17-18页 |
| 1.5.2 技术路线 | 第18-19页 |
| 2 试验设备及方法 | 第19-25页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第19-21页 |
| 2.1.1 溅射镀膜设备 | 第19-20页 |
| 2.1.2 基片材料 | 第20页 |
| 2.1.3 薄膜制备工艺及过程 | 第20-21页 |
| 2.2 薄膜的表征 | 第21-25页 |
| 2.2.1 薄膜厚度及成分分析 | 第21页 |
| 2.2.2 薄膜的精细结构表征 | 第21-22页 |
| 2.2.3 力学性能表征 | 第22-25页 |
| 3 薄膜的成分设计及实验验证 | 第25-41页 |
| 3.1 溅射产额计算模型 | 第25-27页 |
| 3.2 溅射多元薄膜成分预估模型的建立 | 第27-28页 |
| 3.2.1 多元薄膜的沉积原理及过程 | 第27页 |
| 3.2.2 多元薄膜成分预估模型建立 | 第27-28页 |
| 3.3 溅射多元薄膜成分预估模型的实验验证及二元薄膜制备 | 第28-37页 |
| 3.3.1 Cu-C二元搭配 | 第28-33页 |
| 3.3.2 自溅射影响 | 第33-37页 |
| 3.4 薄膜厚度表征 | 第37-38页 |
| 3.5 小结 | 第38-41页 |
| 4 薄膜的力学性能及微观结构表征 | 第41-57页 |
| 4.1 Cu/C组合 | 第41-48页 |
| 4.1.1 Cu/C二元膜微观结构表征 | 第41-45页 |
| 4.1.2 Cu/C二元膜的力学性能分析 | 第45-48页 |
| 4.2 Si/Cu组合 | 第48-55页 |
| 4.2.1 Si/Cu二元膜微观结构表征 | 第48-53页 |
| 4.2.2 Si/Cu二元膜的力学性能分析 | 第53-55页 |
| 4.3 小结 | 第55-57页 |
| 5 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |