| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 各向异性磁电阻效应（AMR） | 第9页 |
| 1.2 NiFe多层膜AMR的研究意义 | 第9-11页 |
| 1.3 改善NiFe多层膜AMR的主要方法 | 第11-12页 |
| 1.4 研究的目的和实验思路 | 第12-15页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第12页 |
| 1.4.2 实验思路 | 第12-15页 |
| 第二章 薄膜生长制备和测试方法 | 第15-25页 |
| 2.1 磁控溅射镀膜技术 | 第15-18页 |
| 2.1.1 直流磁控溅射 | 第16页 |
| 2.1.2 射频磁控溅射 | 第16页 |
| 2.1.3 磁控溅射系统 | 第16-18页 |
| 2.2 薄膜的制备过程 | 第18-21页 |
| 2.2.1 清洗基片 | 第18-19页 |
| 2.2.2 靶材的安装 | 第19页 |
| 2.2.3 测定溅射速率 | 第19-20页 |
| 2.2.4 镀膜过程 | 第20-21页 |
| 2.3 薄膜材料的分析测试方法 | 第21-23页 |
| 2.3.1 各向异性磁电阻的测量 | 第21页 |
| 2.3.2 X射线衍射（XRD）测试 | 第21-22页 |
| 2.3.3 原子力显微镜（AFM）测试 | 第22-23页 |
| 2.3.4 磁性测量 | 第23页 |
| 2.4 实验方案 | 第23-25页 |
| 第三章 NiFe多层膜磁电阻特性与表征的研究 | 第25-41页 |
| 3.1 Y_2O_3层对NiFe多层膜AMR的影响 | 第25-30页 |
| 3.1.1 引言 | 第25页 |
| 3.1.2 实验 | 第25-26页 |
| 3.1.3 Y_2O_3插层对NiFe多层膜各向异性磁电阻的影响 | 第26-28页 |
| 3.1.4 微结构和磁滞回线 | 第28-30页 |
| 3.1.5 结论 | 第30页 |
| 3.2 特殊反射层Ag层对NiFe多层膜AMR的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2.2 实验 | 第31页 |
| 3.2.3 特殊层Ag层厚度对NiFe多层膜AMR值的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.4 结论 | 第32-33页 |
| 3.3 缓冲层Nb层对NiFe薄膜磁性能的影响 | 第33-41页 |
| 3.3.1 引言 | 第33页 |
| 3.3.2 实验 | 第33-34页 |
| 3.3.3 缓冲层Nb层厚度对NiFe多层膜各向异性磁电阻的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.4 基片温度对NiFe薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第36-40页 |
| 3.3.5 结论 | 第40-41页 |
| 第四章 全文总结与展望 | 第41-43页 |
| 4.1 论文工作总结 | 第41-42页 |
| 4.2 今后工作的建议 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
