| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第13-14页 |
| 1.2 a-Si TFT研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 a-IGZO TFT研究现状 | 第15-19页 |
| 1.3.1 a-IGZO薄膜特性 | 第15-17页 |
| 1.3.2 a-IGZO TFT电学特性 | 第17-18页 |
| 1.3.3 a-IGZO TFT阈值电压 | 第18-19页 |
| 1.4 主要研究内容及论文结构 | 第19页 |
| 1.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第二章a-Si TFT的直流特性 | 第20-31页 |
| 2.1 a-Si TFT阈值电压模型 | 第20-25页 |
| 2.1.1 a-Si TFT沟道阈值电压分布 | 第20-24页 |
| 2.1.2 结果与讨论 | 第24-25页 |
| 2.2 a-Si TFT漏电流模型 | 第25-30页 |
| 2.2.1 基于导电机制的漏电流模型 | 第25-28页 |
| 2.2.2 结果与讨论 | 第28-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章a-IGZO TFT的陷阱态提取 | 第31-53页 |
| 3.1 常用陷阱态提取方法 | 第31-40页 |
| 3.2 基于沟道非均匀性的C?V提取 | 第40-45页 |
| 3.2.1 a-IGZO TFT陷阱态提取模型 | 第40-45页 |
| 3.2.2 参数提取 | 第45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章a-IGZO TFT的阈值电压提取 | 第53-67页 |
| 4.1 常用阈值电压提取方法 | 第53-58页 |
| 4.2 a-IGZO TFT阈值电压模型 | 第58-62页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章a-IGZO TFT的漏电流模型 | 第67-93页 |
| 5.1 漏电流模型 | 第67-73页 |
| 5.2 a-IGZO TFT亚阈值区漏电流动态模型 | 第73-83页 |
| 5.2.1 亚阈值区泄漏电流产生机制 | 第73-76页 |
| 5.2.2 亚阈值区漏电流动态模型 | 第76-81页 |
| 5.2.3 结果与讨论 | 第81-83页 |
| 5.3 a-IGZO TFT漏电流静态模型 | 第83-92页 |
| 5.3.1 漏电流静态模型 | 第84-87页 |
| 5.3.2 结果与讨论 | 第87-92页 |
| 5.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-112页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 附件 | 第115页 |