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宽禁带半导体氧化物的高温介电性能研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 电介质材料简介第9-12页
        1.2.1 什么是电介质?第9页
        1.2.2 陶瓷材料第9-11页
        1.2.3 钙钛矿型陶瓷材料第11-12页
    1.3 宽禁带半导体材料简介第12-13页
        1.3.1 什么是宽禁带半导体第12-13页
        1.3.2 宽禁带半导体材料性能与应用第13页
    1.4 宽禁带半导体研究进展第13-14页
    1.5 本文的主要内容和研究意义第14-16页
第二章 电介质物理理论第16-26页
    2.1 电介质的性能第16-18页
    2.2 电介质极化机制第18-22页
    2.3 介电弛豫第22-24页
        2.3.1 介电损耗第23页
        2.3.2 德拜弛豫第23-24页
    2.4 实验仪器第24-26页
第三章 HfO_2陶瓷的高温介电研究第26-40页
    3.1 引言第26页
    3.2 实验过程第26-27页
    3.3 实验结果与讨论第27-39页
    3.4 结论第39-40页
第四章 GDC陶瓷的高温介电性能第40-46页
    4.1 引言第40页
    4.2 实验过程第40页
    4.3 实验结果与讨论第40-45页
    4.4 结论第45-46页
第五章 TbFeO_3的高温介电弛豫的研究第46-54页
    5.1 引言第46页
    5.2 实验过程第46-47页
    5.3 实验结果与讨论第47-53页
    5.4 结论第53-54页
第六章 全文总结第54-55页
参考文献第55-64页
致谢第64-66页
攻读硕士学位期间发表的论文第66页

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