| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 注释表 | 第13-15页 |
| 缩略词 | 第15-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-27页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-21页 |
| 1.1.1 硅基永磁同步电机驱动器面临的技术挑战 | 第16-17页 |
| 1.1.2 SiC功率器件的优势及发展 | 第17-21页 |
| 1.2 SiC基PMSM驱动器的研究进展 | 第21-23页 |
| 1.3 SiC基PMSM驱动器的研究问题 | 第23-25页 |
| 1.3.1 SiC基PMSM驱动器的死区效应抑制 | 第23-24页 |
| 1.3.2 SiC基PMSM驱动器的桥臂电路串扰抑制 | 第24-25页 |
| 1.3.3 SiC基PMSM驱动器寄生电感对器件应力影响 | 第25页 |
| 1.4 本文的内容安排 | 第25-27页 |
| 第二章PMSM数学模型和电压空间矢量控制策略 | 第27-39页 |
| 2.1 永磁同步电机的结构 | 第27页 |
| 2.2 永磁同步电机的数学模型 | 第27-28页 |
| 2.3 永磁同步电机的坐标变换 | 第28-31页 |
| 2.4 永磁同步电机电压矢量控制 | 第31-38页 |
| 2.4.1 永磁同步电机矢量控制的基本原理 | 第32-33页 |
| 2.4.2 电压空间矢量SVPWM技术基本原理 | 第33-35页 |
| 2.4.3 电压空间矢量的合成 | 第35-37页 |
| 2.4.4 基本空间矢量作用时间 | 第37-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章SiC基高速开关PMSM的关键问题 | 第39-60页 |
| 3.1 SiC基PMSM桥臂电路串扰机理及抑制方法 | 第39-49页 |
| 3.1.1 机理分析 | 第39-42页 |
| 3.1.2 桥臂串扰在PMSM驱动器中的特殊性 | 第42-44页 |
| 3.1.3 桥臂串扰抑制方法 | 第44-47页 |
| 3.1.4 串扰抑制措施实验结果与分析 | 第47-49页 |
| 3.2 高开关速度下寄生电感对器件安全工作影响 | 第49-54页 |
| 3.2.1 机理分析 | 第49-52页 |
| 3.2.2 仿真分析 | 第52-53页 |
| 3.2.3 抑制方法 | 第53-54页 |
| 3.3 高开关速度下死区分析 | 第54-59页 |
| 3.3.1 死区效应分析 | 第54-58页 |
| 3.3.2 高开关速度下减小死区时间 | 第58-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章SiC基PMSM驱动器的硬件和软件设计 | 第60-71页 |
| 4.1 硬件电路设计 | 第60-66页 |
| 4.1.1 功率单元 | 第61-62页 |
| 4.1.2 控制电路 | 第62-66页 |
| 4.1.2.1 DSP及外围主要电路 | 第62-64页 |
| 4.1.2.2 SiC-MOSFET驱动电路 | 第64-66页 |
| 4.2 软件设计 | 第66-70页 |
| 4.2.1 AD采样模块 | 第67-68页 |
| 4.2.2 速度检测模块 | 第68页 |
| 4.2.3 双闭环PI模块 | 第68-69页 |
| 4.2.4 SVPWM生成模块 | 第69-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章Si/SiC基PMSM驱动器实验分析 | 第71-81页 |
| 5.1 PMSM电机驱动系统样机平台 | 第71页 |
| 5.2 主要实验波形 | 第71-75页 |
| 5.3 损耗分析与对比 | 第75-79页 |
| 5.3.1 损耗计算分析 | 第75-79页 |
| 5.3.2 实验结果与分析 | 第79页 |
| 5.4 Si/SiC基PMSM驱动器散热器温升对比 | 第79-80页 |
| 5.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 第六章总结与展望 | 第81-82页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第81页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第87页 |
