相变存储单元抗辐照性能数值仿真
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-13页 |
| 1.2 相变存储器 | 第13-17页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 课题研究的意义与内容 | 第19-20页 |
| 1.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 2 相变存储单元抗辐照性能仿真原理及模型 | 第21-35页 |
| 2.1 系统仿真的几何模型 | 第21-22页 |
| 2.2 存储单元相变仿真原理 | 第22-26页 |
| 2.3 存储单元抗辐照仿真原理 | 第26-33页 |
| 2.4 存储单元电阻计算原理 | 第33-34页 |
| 2.5 本单小结 | 第34-35页 |
| 3 存储单元抗辐照仿真方法及实现 | 第35-44页 |
| 3.1 蒙特卡罗方法简介 | 第35-36页 |
| 3.2 基于蒙特卡罗方法的粒子行进轨迹仿真方法 | 第36-39页 |
| 3.3 存储单元仿真系统构建 | 第39页 |
| 3.4 存储单元抗辐照能力静态仿真 | 第39-41页 |
| 3.5 存储单元抗辐照能力动态仿真 | 第41-42页 |
| 3.6 存储单元抗辐照能力总剂量仿真 | 第42-43页 |
| 3.7 存储单元电极阻止作用仿真 | 第43页 |
| 3.8 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 PRAM单元抗辐照性能仿真结果及分析 | 第44-64页 |
| 4.1 质子轨迹 | 第44-46页 |
| 4.2 存储单元阻止本领 | 第46-48页 |
| 4.3 存储单元静态抗辐照性能仿真 | 第48-50页 |
| 4.4 存储单元动态抗辐照性能仿真 | 第50-56页 |
| 4.5 存储单元抗质子辐照总剂量效应仿真 | 第56-60页 |
| 4.6 存储电极阻止作用仿真 | 第60-63页 |
| 4.7 本章小结 | 第63-64页 |
| 5 总结与展望 | 第64-68页 |
| 5.1 总结 | 第64-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-68页 |
| 6 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 附录I 攻读硕士期间发表的论文和参与的课题 | 第74页 |
