| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第15-24页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 二氧化钒薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| 1.2.1 磁控溅射法 | 第16-17页 |
| 1.2.2 脉冲激光沉积法 | 第17-18页 |
| 1.2.3 溶胶-凝胶法 | 第18-19页 |
| 1.2.4 化学气相沉积法 | 第19页 |
| 1.3 超疏水薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| 1.3.1 模板印刷法 | 第19页 |
| 1.3.2 溶胶-凝胶法 | 第19-20页 |
| 1.3.3 激光刻蚀法 | 第20页 |
| 1.3.4 自组装技术 | 第20页 |
| 1.4 二氧化钒薄膜的应用 | 第20-22页 |
| 1.4.1 智能窗材料 | 第21页 |
| 1.4.2 记忆存储材料 | 第21页 |
| 1.4.3 电致光开关器件 | 第21-22页 |
| 1.4.4 其他方面 | 第22页 |
| 1.5 本论文的研究内容及其意义 | 第22-24页 |
| 第2章 实验方法 | 第24-28页 |
| 2.1 实验试剂 | 第24页 |
| 2.2 实验设备 | 第24-25页 |
| 2.3 实验过程 | 第25-26页 |
| 2.3.1 一种超亲水自清洁、智能控温的钨掺杂VO_2薄膜的制备 | 第25页 |
| 2.3.2 一种具有超疏水自清洁、智能控温SiO_2@VO_2复合薄膜的制备 | 第25-26页 |
| 2.4 实验测试方法及表征 | 第26-28页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪（XRD） | 第26页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第26页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱仪（XPS） | 第26页 |
| 2.4.4 接触角测量仪（CA） | 第26-27页 |
| 2.4.5 紫外可见分光光度仪（UV-3600） | 第27页 |
| 2.4.6 原子力显微镜（AFM） | 第27页 |
| 2.4.7 傅里叶变换红外光谱仪（FTIR） | 第27-28页 |
| 第3章 钨掺杂二氧化钒薄膜的制备及其性能研究 | 第28-41页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 实验过程 | 第29-30页 |
| 3.2.1 基片表面处理 | 第29页 |
| 3.2.2 二氧化钒溶胶前驱体制备 | 第29-30页 |
| 3.2.3 钨掺杂二氧化钒薄膜的制备 | 第30页 |
| 3.3 掺杂二氧化钒薄膜的结果与讨论 | 第30-39页 |
| 3.3.1 掺杂二氧化钒薄膜物相分析 | 第30-31页 |
| 3.3.2 掺杂二氧化钒薄膜形貌分析 | 第31-33页 |
| 3.3.3 掺杂二氧化钒薄膜价态分析 | 第33-35页 |
| 3.3.4 掺杂二氧化钒薄膜水浸润性分析 | 第35-36页 |
| 3.3.5 掺杂二氧化钒薄膜光学特性分析 | 第36-38页 |
| 3.3.6 掺杂二氧化钒薄膜的相变温度分析 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 一种具有超疏水SiO_2@VO_2复合薄膜的制备及其性能研究 | 第41-55页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 实验过程 | 第42-44页 |
| 4.2.1 基片表面处理 | 第42-43页 |
| 4.2.2 超疏水二氧化硅薄膜的制备 | 第43-44页 |
| 4.2.3 超疏水SiO_2@VO_2复合薄膜的制备 | 第44页 |
| 4.3 性能测试表征及结果讨论 | 第44-53页 |
| 4.3.1 退火温度对超疏水薄膜的性能影响 | 第44-47页 |
| 4.3.1.1 不同退火温度薄膜的光学透过率 | 第44-45页 |
| 4.3.1.2 退火处理温度对样品的疏水性比较 | 第45-46页 |
| 4.3.1.3 未经处理样品在不同基材表面的CA的比较 | 第46-47页 |
| 4.3.2 酸水解处理时间对超疏水薄膜的性能影响 | 第47-51页 |
| 4.3.2.1 不同酸水解处理时间表面水接触角的测试 | 第47-49页 |
| 4.3.2.2 不同酸水解处理时间的透过率测试 | 第49-50页 |
| 4.3.2.3 薄膜表面形貌 | 第50-51页 |
| 4.3.3 SiO_2@VO_2复合薄膜性能分析 | 第51-53页 |
| 4.3.3.1 SiO_2@VO_2复合薄膜的光学透过率 | 第51-52页 |
| 4.3.3.2 SiO_2@VO_2复合薄膜的表面水接触角 | 第52页 |
| 4.3.3.3 SiO_2@VO_2复合薄膜的相变 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 附录 攻读硕士阶段参与的成果情况 | 第64-65页 |
| 附录1 攻读硕士阶段发表论文 | 第64页 |
| 附录2 攻读硕士阶段国家发明专利 | 第64页 |
| 附录3 攻读硕士阶段参加的科研项目 | 第64页 |
| 附录4 攻读硕士阶段荣誉 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
