| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-11页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 研究目的 | 第10页 |
| 1.3 研究意义 | 第10-11页 |
| 第二章 材料选择 | 第11-22页 |
| 2.1 基本介绍 | 第11页 |
| 2.2 基本体系 | 第11-15页 |
| 2.3 扩散阻挡层 | 第15-16页 |
| 2.4 使用低温砷化镓生长的非合金化欧姆接触 | 第16-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 欧姆接触的制作 | 第22-31页 |
| 3.1 光刻 | 第22-23页 |
| 3.2 腐蚀 | 第23-24页 |
| 3.3 快速热退火 | 第24-27页 |
| 3.4 Lift-off | 第27页 |
| 3.5 表面处理 | 第27-28页 |
| 3.6 金属淀积 | 第28页 |
| 3.7 n-GaAs 欧姆接触实验流程 | 第28-29页 |
| 3.8 本章小结 | 第29-31页 |
| 第四章 测量工艺 | 第31-47页 |
| 4.1 欧姆接触的测量 | 第31-42页 |
| 4.2 电接触连接的改良 | 第42-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 方案与总结 | 第47-52页 |
| 5.1 Ge/Au/Ag/Au | 第47-49页 |
| 5.2 Pd/Ge/Pd/Au | 第49-50页 |
| 5.3 低温生长砷化镓系统 | 第50-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 全文总结 | 第52-54页 |
| 6.1 主要工作和成果 | 第52-53页 |
| 6.2 研究展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 图片目录 | 第57-60页 |
| 表目录 | 第60-61页 |
| 附录一 相关基本理论 | 第61-65页 |
| 1 金属——半导体界面 | 第61-63页 |
| 2 接触电阻率 | 第63-65页 |
| 附录二 GaAs 半导体中欧姆接触相关元素的二元相图 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69页 |