硅、锗切割片的损伤层研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·硅、锗材料的应用现状及趋势 | 第11-13页 |
| ·半导体硅、锗材料的性质 | 第13-17页 |
| ·单晶硅、锗的晶体结构 | 第13-15页 |
| ·单晶硅、锗的主要物理性质 | 第15-16页 |
| ·单晶硅、锗的主要化学性质 | 第16-17页 |
| ·半导体晶片的传统加工方式 | 第17-21页 |
| ·晶片的传统制备工艺流程 | 第17-18页 |
| ·半导体晶片切割工艺 | 第18-21页 |
| ·硅片的腐蚀工艺 | 第21页 |
| ·晶片加工工艺和切割损伤的研究现状 | 第21-23页 |
| ·本文的主要内容和研究意义 | 第23-25页 |
| ·研究意义 | 第23页 |
| ·主要内容 | 第23-25页 |
| 第2章 实验设计 | 第25-32页 |
| ·表面损伤对单晶性能的影响 | 第25页 |
| ·表面损伤层结构和表面粗糙度的测试仪器 | 第25-29页 |
| ·微波光电导衰减仪 | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第27页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第27-28页 |
| ·光学显微镜 | 第28页 |
| ·原子力显微镜 | 第28页 |
| ·表面形貌轮廓仪 | 第28-29页 |
| ·实验过程 | 第29-32页 |
| ·实验材料 | 第29-30页 |
| ·实验方法 | 第30页 |
| ·实验步骤 | 第30-32页 |
| 第3章 内圆切割片的表面损伤研究 | 第32-45页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·实验部分 | 第32-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-43页 |
| ·表面损伤层结构分析 | 第34-38页 |
| ·内圆切割硅片 | 第34-36页 |
| ·内圆切割重掺锗片 | 第36-38页 |
| ·内圆切割轻掺锗片 | 第38页 |
| ·表面形貌和表面粗糙度分析 | 第38-43页 |
| ·内圆切割硅片 | 第38-40页 |
| ·内圆切割重掺锗片 | 第40-42页 |
| ·内圆切割轻掺锗片 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 电火花线切割片的表面损伤研究 | 第45-54页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验部分 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-52页 |
| ·表面损伤层结构分析 | 第47-49页 |
| ·电火花线切割硅片 | 第47-48页 |
| ·电火花线切割锗片 | 第48-49页 |
| ·表面形貌和表面粗糙度分析 | 第49-52页 |
| ·电火花线切割硅片 | 第49-51页 |
| ·电火花线切割锗片 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 多线切割片的表面损伤研究 | 第54-61页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·实验部分 | 第54-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-59页 |
| ·表面损伤层结构分析 | 第56-57页 |
| ·多线切割低阻硅片 | 第56页 |
| ·多线切割高阻硅片 | 第56-57页 |
| ·表面形貌和表面粗糙度分析 | 第57-59页 |
| ·多线切割低阻硅片 | 第57-58页 |
| ·多线切割高阻硅片 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第6章 超声碱腐蚀法去除硅切片损伤层的研究 | 第61-70页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·实验部分 | 第62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-68页 |
| ·单晶硅片表面粗糙度的研究 | 第62-65页 |
| ·腐蚀温度的影响 | 第62-63页 |
| ·NaOH 浓度的影响 | 第63-65页 |
| ·超声腐蚀的重要作用 | 第65-68页 |
| ·腐蚀速率分析 | 第65-66页 |
| ·表面形貌和粗糙度分析 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第7章 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第77页 |
