| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 半导体材料概述 | 第11-12页 |
| 1.2 纳米半导体材料 | 第12-13页 |
| 1.3 CdSeS半导体纳米材料 | 第13-27页 |
| 1.3.1 CdSeS半导体纳米材料的性质 | 第13-14页 |
| 1.3.2 CdSeS半导体纳米材料的制备方法 | 第14-26页 |
| 1.3.3 CdSeS半导体纳米材料的应用 | 第26-27页 |
| 1.4 CdSeS半导体纳米材料的研究现状 | 第27-31页 |
| 1.4.1 零维CdSeS纳米材料 | 第27-29页 |
| 1.4.2 一维CdSeS纳米材料 | 第29-30页 |
| 1.4.3 二维CdSeS纳米材料 | 第30页 |
| 1.4.4 CdSeS基复合纳米材料 | 第30-31页 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 | 第31-32页 |
| 第2章 实验方案 | 第32-35页 |
| 2.1 实验原料 | 第32页 |
| 2.2 实验设备 | 第32页 |
| 2.3 实验方法 | 第32-33页 |
| 2.4 分析测试仪器及表征方法 | 第33-35页 |
| 2.4.1 微观形貌表征 | 第33页 |
| 2.4.2 物相表征 | 第33-34页 |
| 2.4.3 光学性质 | 第34-35页 |
| 第3章 纯相CdSeS固溶体的制备及表征 | 第35-43页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-36页 |
| 3.2.1 三元合金CdSeS半导体材料的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 样品表征 | 第36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-42页 |
| 3.3.1 CdSeS合金固溶体的组成结构 | 第36-39页 |
| 3.3.2 CdSeS合金固溶体的微观形貌 | 第39页 |
| 3.3.3 CdSeS合金固溶体的光学性能 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 常压热蒸发法制备CdSeS纳米晶薄膜的工艺优化 | 第43-55页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 实验部分 | 第43-45页 |
| 4.2.1 CdSeS纳米晶薄膜的制备 | 第43-44页 |
| 4.2.2 样品表征 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-54页 |
| 4.3.1 热蒸发温度对CdSeS纳米晶薄膜的影响 | 第45-48页 |
| 4.3.2 基底与蒸发源之间的距离对CdSeS纳米晶薄膜的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.3 气流量对CdSeS纳米晶薄膜的影响 | 第50-52页 |
| 4.3.4 优化工艺参数下所制得CdSeS纳米晶薄膜的物相及形貌表征 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 多脚枝状CdSeS微纳米结构的制备及表征 | 第55-61页 |
| 5.1 引言 | 第55-56页 |
| 5.2 实验部分 | 第56页 |
| 5.2.1 CdSeS多脚枝状微纳米结构的制备 | 第56页 |
| 5.2.2 样品表征 | 第56页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第56-60页 |
| 5.3.1 CdSeS多脚枝状微纳米结构的微观形貌 | 第56-57页 |
| 5.3.2 CdSeS多脚枝状微纳米结构的相组成 | 第57-58页 |
| 5.3.3 CdSeS多脚枝状微纳米结构的光致发光特性 | 第58-59页 |
| 5.3.4 CdSeS多脚枝状微纳米结构的生长机制 | 第59-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第6章 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-72页 |
| 个人简历 | 第72-73页 |
| 在学期间研究成果 | 第73页 |
