| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 半导体光电探测器 | 第7-8页 |
| 1.3 ZnO基紫外探测器的发展现状 | 第8-15页 |
| 1.4 论文选题依据和主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 ZnO基紫外探测器的制备方法及其测试手段 | 第17-24页 |
| 2.1 ZnO基薄膜材料的制备技术 | 第17-19页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射技术简介 | 第17-19页 |
| 2.2 ZnO基紫外探测器的制备方法 | 第19-21页 |
| 2.3 ZnO基薄膜及紫外探测器的表征手段 | 第21-24页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析（XRD) | 第21页 |
| 2.3.2 吸收透射分析（A-T) | 第21-22页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第22页 |
| 2.3.4 暗电流的分析测试（I-V) | 第22-23页 |
| 2.3.5 响应度的分析测试 | 第23-24页 |
| 第三章 包埋Pt纳米粒子的ZnO紫外探测器的制备及其性能研究 | 第24-39页 |
| 3.1 金属局域表面等离子体的基本理论 | 第24页 |
| 3.2 包埋不同深度Pt纳米粒子的ZnO紫外光电探测器的制备及性能研究 | 第24-31页 |
| 3.3 响应度增强可调节的ZnO紫外光电探测器 | 第31-38页 |
| 3.3.1 响应度增强可调节的ZnO紫外光电探测器的制备及性能研究 | 第31-38页 |
| 3.4 小结 | 第38-39页 |
| 第四章 基于Pt/ZnO多层结构的紫外光电探测器的制备及性能研究 | 第39-44页 |
| 4.1 基于Pt/ZnO多层结构的紫外光电探测器的制备 | 第39-40页 |
| 4.2 基于Pt/ZnO多层结构的紫外光电探测器的性能研究 | 第40-43页 |
| 4.3 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 表面修饰Pt纳米粒子的MgZnO紫外探测器的制备及其性能研究 | 第44-49页 |
| 5.1 表面修饰Pt纳米粒子的MgZnO紫外探测器的制备及其性能研究 | 第44-48页 |
| 5.2 小结 | 第48-49页 |
| 第六章 结论与展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第54页 |
