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SiC粉体表面处理与其浆料流变性之间的关系研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
1 绪论第12-24页
    1.1 碳化硅(SiC)简介第12-14页
    1.2 碳化硅粉体的制备第14-15页
    1.3 碳化硅与其粉体表面的特性第15-16页
        1.3.1 碳化硅的基本性质第15-16页
        1.3.2 碳化硅粉体在水相中的特性第16页
    1.4 粉体分散的稳定机制第16-19页
        1.4.1 静电稳定机制第17-18页
        1.4.2 空间位阻稳定机制第18页
        1.4.3 静电位阻稳定机制第18-19页
    1.5 粉体表面改性方法第19-21页
        1.5.1 物理改性方法第19-20页
        1.5.2 化学改性方法第20-21页
    1.6 国内外研究进展第21-22页
    1.7 选题意义与研究内容第22-24页
2 SiC粉体表面微观差异性对其浆料流变性产生的影响第24-46页
    2.1 引言第24页
    2.2 实验原料及仪器第24-26页
    2.3 实验方法第26页
        2.3.1 碳化硅悬浮液的制备第26页
        2.3.2 盐酸溶液除粉体中杂质第26页
        2.3.3 结合水实验第26页
    2.4 性能表征第26-29页
        2.4.1 分子结构分析(FTIR)第26-27页
        2.4.2 颗粒Zeta电位测试第27页
        2.4.3 粒度分布分析第27页
        2.4.4 流变性能测试第27-28页
        2.4.5 浆料稳定性分析第28-29页
        2.4.6 浆料分散性分析第29页
    2.5 结果与讨论第29-45页
        2.5.1 粉体表面官能团分析第29-30页
        2.5.2 Zeta电位分析第30-33页
        2.5.3 粉体粒度分布第33-36页
        2.5.4 浆料流变性能第36-41页
        2.5.5 结合水分析第41-42页
        2.5.6 浆料稳定性分析第42-43页
        2.5.7 浆料的分散性第43-45页
    2.6 小结第45-46页
3 SiC粉体表面杂质离子去除工艺条件研究第46-56页
    3.1 引言第46页
    3.2 实验原料及试剂第46-47页
    3.3 实验方法第47页
    3.4 性能表征第47-48页
        3.4.1 颗粒Zeta电位测试第47页
        3.4.2 粒度分布第47-48页
        3.4.3 流变性能测试第48页
        3.4.4 浆料稳定性分析第48页
        3.4.5 浆料分散性分析第48页
    3.5 结果与讨论第48-54页
        3.5.1 Zeta电位分析第48-49页
        3.5.2 粉体粒度分布第49-50页
        3.5.3 浆料流变性能第50-51页
        3.5.4 浆料的分散性第51-53页
        3.5.5 对浆料稳定性的影响第53-54页
    3.6 小结第54-56页
4 小分子有机物(乙酸)对SiC粉体表面改性研究第56-74页
    4.1 引言第56页
    4.2 实验原料及仪器第56-57页
    4.3 实验方法第57-58页
        4.3.1 预处理实验第57页
        4.3.2 不同条件乙酸改性实验第57-58页
    4.4 性能表征第58-59页
        4.4.1 分子结构分析(FTIR)第58页
        4.4.2 颗粒Zeta电位测试第58页
        4.4.3 粒度分布第58页
        4.4.4 流变性能测试第58页
        4.4.5 浆料稳定性分析第58-59页
        4.4.6 浆料分散性分析第59页
    4.5 结果与讨论第59-72页
        4.5.1 SiC粉体表面官能团分析第59-60页
        4.5.2 Zeta电位分析第60-62页
        4.5.3 粉体粒度分布第62-64页
        4.5.4 浆料流变性能第64-68页
        4.5.5 浆料的分散性第68-71页
        4.5.6 浆料稳定性分析第71-72页
    4.6 小结第72-74页
5 SiC表面氧化物对其浆料流变性能的影响第74-84页
    5.1 引言第74页
    5.2 实验原料及仪器第74-75页
    5.3 实验方法第75页
        5.3.1 预处理实验第75页
        5.3.2 去除表面氧化物实验第75页
    5.4 性能表征第75-77页
        5.4.1 分子结构分析(FTIR)第75页
        5.4.2 颗粒Zeta电位测试第75-76页
        5.4.3 粒度分布第76页
        5.4.4 流变性能测试第76页
        5.4.5 浆料稳定性分析第76页
        5.4.6 浆料分散性分析第76页
        5.4.7 碳化硅形貌分析(TEM)第76-77页
    5.5 结果与讨论第77-82页
        5.5.1 SiC粉体表面官能团分析第77页
        5.5.2 Zeta电位分析第77-78页
        5.5.3 粉体粒度分布第78-79页
        5.5.4 浆料流变性能第79-80页
        5.5.5 浆料稳定性分析第80-81页
        5.5.6 浆料的分散性第81-82页
        5.5.7 粉体形貌表征第82页
    5.6 小结第82-84页
6 腐植酸钠对SiC粉体表面改性的可能性第84-96页
    6.1 引言第84-85页
    6.2 实验原料及仪器第85页
    6.3 实验方法第85-86页
        6.3.1 预处理实验第85页
        6.3.2 腐植酸钠水热处理第85-86页
    6.4 性能表征第86-87页
        6.4.1 分子结构分析(FTIR)第86页
        6.4.2 颗粒Zeta电位测试第86页
        6.4.3 粒度分布第86页
        6.4.4 水体中有机物总含量分析(TOC)第86页
        6.4.5 流变性能测试第86-87页
        6.4.6 浆料稳定性分析第87页
        6.4.7 浆料分散性分析第87页
        6.4.8 碳化硅形貌分析(TEM)第87页
    6.5 结果与讨论第87-95页
        6.5.1 SiC粉体表面官能团分析第87-88页
        6.5.2 Zeta电位分析第88-89页
        6.5.3 粉体粒度分布第89页
        6.5.4 腐植酸钠附着牢固程度分析第89-92页
        6.5.5 浆料流变性能第92-93页
        6.5.6 浆料稳定性分析第93页
        6.5.7 浆料的分散性第93-94页
        6.5.8 粉体形貌表征第94-95页
    6.6 小结第95-96页
7 TMAH表面吸附对SiC粉体及浆料流变性能研究第96-104页
    7.1 引言第96页
    7.2 实验原料及仪器第96-97页
    7.3 实验方法第97页
        7.3.1 预处理实验第97页
        7.3.2 TMAH水热处理第97页
    7.4 性能表征第97-98页
        7.4.1 分子结构分析(FTIR)第97页
        7.4.2 颗粒Zeta电位测试第97-98页
        7.4.3 粒度分布第98页
        7.4.4 流变性能测试第98页
        7.4.5 浆料稳定性分析第98页
        7.4.6 浆料分散性分析第98页
    7.5 结果与讨论第98-102页
        7.5.1 SiC粉体表面官能团分析第98-99页
        7.5.2 Zeta电位分析第99-100页
        7.5.3 粉体粒度分布第100页
        7.5.4 浆料流变性能第100-101页
        7.5.5 浆料稳定性分析第101-102页
        7.5.6 浆料的分散性第102页
    7.6 小结第102-104页
8 结论与展望第104-106页
    8.1 结论第104-105页
    8.2 展望第105-106页
参考文献第106-114页
致谢第114-116页
作者简介第116-118页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第118-119页

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