| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 相变存储器PCRAM | 第10-15页 |
| 1.3 0T1R结构与相变异质结 | 第15-19页 |
| 1.4 本文研究内容与结构 | 第19-21页 |
| 2 相变异质结的制备与测试分析 | 第21-35页 |
| 2.1 交叉点阵结构的相变异质结的制备 | 第21-25页 |
| 2.2 相变异质结的开关性能 | 第25-29页 |
| 2.3 相变异质结的读写擦功能 | 第29-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 3 相变异质结的阈值电压调制 | 第35-43页 |
| 3.1 阈值电压与n型硅掺杂浓度的关系 | 第35-37页 |
| 3.2 阈值电压调制的物理解释 | 第37-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 4 基于相变异质结的 3D相变存储器结构设计 | 第43-48页 |
| 4.1 3D相变存储器的结构与优势 | 第43-47页 |
| 4.2 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 总结与展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考 文献 | 第51-57页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文或专利 | 第57页 |