| 提要 | 第5-10页 |
| 第一章绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 半导体表面和界面研究的发展历史 | 第10-14页 |
| 1.2 表面和界面的研究方法 | 第14-19页 |
| 1.2.1 表面光谱 | 第14-15页 |
| 1.2.2 基于电学和光学的测量方法 | 第15-16页 |
| 1.2.3 新的进展 | 第16-19页 |
| 1.2.3.1 光助 STM 研究与时间分辨 STM 研究 | 第16-18页 |
| 1.2.3.2 基于KPFM(kelvin-probe force microscopy)的显微表面光电压谱 | 第18-19页 |
| 1.3 半导体表面和界面的结构模型 | 第19-22页 |
| 1.3.1 定域态与扩展态 | 第19-21页 |
| 1.3.2 表面 | 第21页 |
| 1.3.3 界面 | 第21-22页 |
| 1.4 表面与界面的生长、可控以及界面的复合 | 第22-23页 |
| 1.4.1 超高真空与清洁表面 | 第22-23页 |
| 1.4.2 化学及电化学方法 | 第23页 |
| 1.4.3 物理方法 | 第23页 |
| 1.5 氧化物的表面与界面 | 第23-24页 |
| 1.6 本论文所采用的主要的实验方法 | 第24-26页 |
| 1.6.1 透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)及 X-ray 能谱仪(EDS) | 第24-25页 |
| 1.6.2 X 射线光电子能谱(XPS) | 第25页 |
| 1.6.3 热分析 | 第25-26页 |
| 1.6.4 X 射线衍射(XRD) | 第26页 |
| 1.6.5 扫描探针显微镜(SPM):STM、AFM、EFM | 第26页 |
| 1.6.5 溶胶-凝胶(Sol-gel)方法 | 第26页 |
| 1.7 本论文的研究目的、内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-32页 |
| 第二章表面光电压技术与原理 | 第32-58页 |
| 2.1 表面光电压技术概述 | 第33-37页 |
| 2.1.1 表面和界面电子结构 | 第33-34页 |
| 2.1.2 表面光伏效应 | 第34-36页 |
| 2.1.3 包埋的界面对 SPV 作用 | 第36-37页 |
| 2.1.4 SPV 给出的体相和表面以及界面的信息 | 第37页 |
| 2.2 SPV 和表面电势测量对界面能带结构的表征 | 第37-41页 |
| 2.2.1 电子亲和势规则(EAR) | 第38-40页 |
| 2.2.2 表面电势测量确定界面参数 | 第40-41页 |
| 2.2.3 表面光电压确定界面参数 | 第41页 |
| 2.3 SPV 技术实验方法及原理 | 第41-46页 |
| 2.3.1 实验方法 | 第41-42页 |
| 2.3.1.1 Kelvin 探针方法 | 第41-42页 |
| 2.3.1.2 金属-绝缘体-半导体(MIS)模式 | 第42页 |
| 2.3.1.3 轻微接触模式:类金属-半导体(MS)模式 | 第42页 |
| 2.3.2 轻微接触模式(类MS 模式)的原理 | 第42-46页 |
| 2.3.2.1 测量构造 | 第42-43页 |
| 2.3.2.2 等效电路 | 第43页 |
| 2.3.2.3 测量原理 | 第43-45页 |
| 2.3.2.4 弱直流电场的作用 | 第45-46页 |
| 2.4 金红石型 Ti02 的光电压与光电流 | 第46-51页 |
| 2.4.1 实验方法 | 第46-47页 |
| 2.4.2 结果与讨论 | 第47-50页 |
| 2.4.3 光电压检测灵敏度的讨论 | 第50页 |
| 2.4.4 结论 | 第50-51页 |
| 2.5 表面光电压谱的信号解析 | 第51-52页 |
| 2.5.1 锁相放大器的原理 | 第51-52页 |
| 2.5.2 表面光电压谱的 R 值谱、X 值谱及相位谱 | 第52页 |
| 2.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 第三章 硅基底上TiO_2、SnO_2薄膜与复合薄膜的光伏特性研究 | 第58-77页 |
| 3.1 硅基底上不同厚度 TiO_2 薄膜的光伏响应 | 第58-69页 |
| 3.1.1 实验部分 | 第59-60页 |
| 3.1.2 Si/TiO_2 薄膜界面示意图 | 第60-62页 |
| 3.1.3 光照对不同厚度薄膜光伏特性的影响 | 第62-64页 |
| 3.1.4 电场对不同厚度薄膜光伏特性的影响 | 第64-65页 |
| 3.1.5 五层TiO_2薄膜的光伏特性与不同热处理条件的影响 | 第65-67页 |
| 3.1.6 超薄 TiO_2 薄膜的光伏特点 | 第67-69页 |
| 3.1.7 小结 | 第69页 |
| 3.2 硅基底上不同厚度 51102 薄膜的光伏响应 | 第69-71页 |
| 3.2.1 实验部分 | 第69-70页 |
| 3.2.2 不同厚度薄膜的光伏特性比较 | 第70-71页 |
| 3.2.2.1 一层SnO_2薄膜的光伏特性 | 第70页 |
| 3.2.2.2 五层SnO_2薄膜的光伏特性 | 第70-71页 |
| 3.3 硅基底上不同TiO_2、SnO_2复合薄膜的光伏响应 | 第71-74页 |
| 3.3.1 实验部分 | 第71页 |
| 3.3.2 SnO_2(5) /TiO_2(5)复合薄膜 | 第71-73页 |
| 3.3.3 TiO_2(5)/SnO_2(5)复合薄膜 | 第73-74页 |
| 3.3.4 小结 | 第74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第四章 氧化钒薄膜的制备与变色特性研究 | 第77-91页 |
| 4.1 V_2O_5·nH_20 胶体、V_2O_5、VO_2 的结构 | 第78-80页 |
| 4.1.1 V_2O_5的结构 | 第78-79页 |
| 4.1.2 V_2O_5·nH_2O 的结构 | 第79页 |
| 4.1.3 VO_2 的结构 | 第79-80页 |
| 4.2 氧化钒胶体 | 第80-83页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第80页 |
| 4.2.2 胶体性质 | 第80-82页 |
| 4.2.3 不同基底上的干凝胶薄膜 | 第82-83页 |
| 4.3 V_2O_5 薄膜 | 第83-86页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第83-84页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第84-86页 |
| 4.4 VO_2 薄膜 | 第86-88页 |
| 4.4.1 实验方法 | 第88页 |
| 4.4.2 结果与讨论 | 第88页 |
| 4.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第五章 几种钒酸钠薄膜及Na_(1+x)V_3O_8一维纳米结构的制备和特性研究 | 第91-115页 |
| 5.1 Na_(1+x)V_3O_8的晶体结构与钠玻璃的结构 | 第92-95页 |
| 5.1.1 Na_(1+x)V_3O_8 的结构 | 第92-94页 |
| 5.1.2 钠玻璃的结构 | 第94-95页 |
| 5.2 样品制备和表征 | 第95-96页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第96-108页 |
| 5.3.1 Na_(0.33)V_2O_5·nH_2O:330℃之前 | 第96-97页 |
| 5.3.2 Na_(1+x)V_3O_8一维纳米结构薄膜的制备与生长过程 | 第97-106页 |
| 5.3.2.1 结构表征与物质确定 | 第97-98页 |
| 5.3.2.2 薄膜形貌特征 | 第98-101页 |
| 5.3.2.3 生长条件的讨论 | 第101-104页 |
| 5.3.2.4 透射电镜表征 | 第104-106页 |
| 5.3.3 NaVO_3 高取向薄膜 | 第106-108页 |
| 5.3.4 纳米结构生长机理 | 第108页 |
| 5.4 Na_(1+x)V_3O_8 一维纳米结构薄膜的性质 | 第108-110页 |
| 5.4.1 锂离子交换作用 | 第108-109页 |
| 5.4.1.1 实验部分 | 第108-109页 |
| 5.4.1.2 循环伏安 | 第109页 |
| 5.4.2 电流同时AFM 模式测得I-V 特性与STM 表征 | 第109-110页 |
| 5.4.2.1 电流同时AFM 模式测得I-V 特性 | 第109页 |
| 5.4.2.2 STM 表征 | 第109-110页 |
| 5.5 结论 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-115页 |
| 附录 | 第115-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 作者简历 | 第120页 |
| 发表文章 | 第120-122页 |
| 中文摘要 | 第122-126页 |
| 英文摘要 | 第126页 |
