双向过压保护器件的设计与实现
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 半导体抗浪涌保护器件研发背景 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体抗浪涌保护器件的分类 | 第9-10页 |
| 1.2.1 电压限幅型保护器件 | 第9页 |
| 1.2.2 电压开关型保护器件 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外发展概况 | 第10-11页 |
| 1.3.1 国外发展概况 | 第10页 |
| 1.3.2 国内发展概况 | 第10-11页 |
| 1.4 本文的研究内容和结构 | 第11-12页 |
| 第2章 电压开关型晶闸管保护器件的工作原理 | 第12-22页 |
| 2.1 晶闸管概况 | 第12页 |
| 2.2 晶闸管工作原理 | 第12-17页 |
| 2.2.1 正向高阻区和转折区 | 第12-14页 |
| 2.2.2 正向导通 | 第14-16页 |
| 2.2.3 器件关断 | 第16页 |
| 2.2.4 反向阻断 | 第16-17页 |
| 2.3 阴极短路结构 | 第17-20页 |
| 2.3.1 阴极短路模型 | 第17-18页 |
| 2.3.2 阴极短路对晶闸管参数影响 | 第18-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-22页 |
| 第3章 器件的结构设计与计算机仿真验证 | 第22-42页 |
| 3.1 P08A系列产品概况 | 第22-24页 |
| 3.1.1 P08A系列产品工作原理 | 第22-23页 |
| 3.1.2 P08A系列产品参数指标 | 第23-24页 |
| 3.2 器件纵向结构设计和实施方案 | 第24-27页 |
| 3.2.1 器件纵向结构 | 第24-26页 |
| 3.2.2 实施方案 | 第26-27页 |
| 3.3 器件的版图设计与DRC | 第27-33页 |
| 3.3.1 版图设计软件简介 | 第27-28页 |
| 3.3.2 版图设计 | 第28-30页 |
| 3.3.3 DRC | 第30-33页 |
| 3.4 器件结构的计算机仿真验证 | 第33-40页 |
| 3.4.1 TCAD软件工具简介 | 第33-34页 |
| 3.4.2 软件模拟仿真过程 | 第34-38页 |
| 3.4.3 TCAD仿真的输出结果 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 保护器件的工艺实现过程 | 第42-54页 |
| 4.1 芯片级工艺实现 | 第42-45页 |
| 4.2 关键参数控制 | 第45-47页 |
| 4.2.1 IH的控制 | 第45-46页 |
| 4.2.2 VBR的控制 | 第46页 |
| 4.2.3 CO的控制 | 第46-47页 |
| 4.3 封装级工艺实现过程 | 第47-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 流片结果分析及改进 | 第54-60页 |
| 5.1 流片结果分析 | 第54-56页 |
| 5.2 与国外样品对比参数 | 第56-58页 |
| 5.2.1 静态参数比较 | 第56-58页 |
| 5.2.2 浪涌能力比较 | 第58页 |
| 5.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附录 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
