基于Flash存储器数据深度擦除的关键技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第11-13页 |
| 1.3 课题主要内容 | 第13页 |
| 1.4 本论文的组织结构 | 第13-15页 |
| 第二章 Flash的基本原理及其数据残留 | 第15-23页 |
| 2.1 存储器的分类 | 第15-16页 |
| 2.2 Flash的基本原理 | 第16-20页 |
| 2.2.1 Flash的基本操作 | 第16-18页 |
| 2.2.2 浮栅电压和漏电流的计算方法 | 第18-20页 |
| 2.3 Flash的数据残留现象 | 第20-23页 |
| 第三章 数据深度擦除方法的研究 | 第23-34页 |
| 3.1 器件建模软件介绍 | 第23-25页 |
| 3.2 Flash单元的工艺建模及器件建模 | 第25-28页 |
| 3.2.1 Flash单元的工艺结构建模 | 第25-26页 |
| 3.2.2 Flash浮栅晶体管的基本操作建模 | 第26-28页 |
| 3.3 任意序列的覆盖与深度擦除方法的研究 | 第28-34页 |
| 3.3.1 任意序列覆盖的器件仿真流程 | 第28-29页 |
| 3.3.2 任意序列覆盖下仿真结果及结论 | 第29-34页 |
| 第四章 漏电流读出电路的设计 | 第34-56页 |
| 4.1 Flash单元的实现和漏电流的产生 | 第34-38页 |
| 4.1.1 Flash单元的实现 | 第34-36页 |
| 4.1.2 高压开关的设计 | 第36-37页 |
| 4.1.3 漏电流引导电路的设计 | 第37-38页 |
| 4.2 漏电流读出架构级设计 | 第38-43页 |
| 4.2.1 存储单元的模型提取 | 第38-39页 |
| 4.2.2 漏电流读出电路架构的确定 | 第39-42页 |
| 4.2.3 漏电流读出电路的指标考虑 | 第42-43页 |
| 4.3 漏电流读出电路级设计 | 第43-51页 |
| 4.3.1 第一级全差分TIA的设计 | 第44-48页 |
| 4.3.2 VA电路的设计 | 第48-51页 |
| 4.4 仿真结果与分析 | 第51-56页 |
| 4.4.1 TIA仿真结果分析 | 第51-52页 |
| 4.4.2 VA仿真结果分析 | 第52-56页 |
| 第五章 一种混合型CMOS电压源的设计 | 第56-63页 |
| 5.1 第一种亚基准的产生 | 第56-57页 |
| 5.2 第二种亚基准的产生 | 第57-60页 |
| 5.3 混合型CMOS基准源的电路实现 | 第60-61页 |
| 5.4 CMOS电压源的测试结果 | 第61-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 总结 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
