| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 符号表 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 论文的选题及研究意义 | 第10-15页 |
| 1.1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.1.2 KDP晶体的结构 | 第12-13页 |
| 1.1.3 KDP晶体薄表面层研究的意义 | 第13-15页 |
| 1.2 课题当前的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.2.1 薄表面层生长方面的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 台阶的产生与推移方面的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.3 KDP晶体生长动力学方面的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 本课题的研究内容 | 第19-20页 |
| 2 晶体生长实验基础 | 第20-28页 |
| 2.1 过饱和度基本概念 | 第20-21页 |
| 2.2 实验试剂及仪器、设备 | 第21-22页 |
| 2.3 KDP晶体生长实验 | 第22-24页 |
| 2.3.1 籽晶的制备 | 第22页 |
| 2.3.2 溶液的配制和处理 | 第22-23页 |
| 2.3.3 置入籽晶和晶体生长 | 第23-24页 |
| 2.4 晶体的切割 | 第24-25页 |
| 2.5 涂覆材料的选取 | 第25-27页 |
| 2.5.1 试验步骤 | 第25-26页 |
| 2.5.2 涂覆材料性质分析 | 第26-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 棱边对KDP晶体Z切片薄表面层形成及生长的影响 | 第28-35页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 实验步骤 | 第28-29页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第29-33页 |
| 3.3.1 涂覆柱面及（001）面的边缘 | 第29-30页 |
| 3.3.2 涂覆（001）面及柱面的上边缘 | 第30-31页 |
| 3.3.3 （001）及各柱面进行不同形式的涂覆处理 | 第31-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 4 KDP晶体Z切片再生过程中“记忆性”的研究 | 第35-47页 |
| 4.1 假说 | 第35-36页 |
| 4.2 实验步骤 | 第36页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第36-45页 |
| 4.3.1 涂覆（001）面的边缘及柱面上边缘 | 第36-38页 |
| 4.3.2 将（001）面涂覆分成四部分 | 第38-39页 |
| 4.3.3 涂覆锥台的相关棱边 | 第39-40页 |
| 4.3.4 涂覆（001）面及两个相对的柱面 | 第40-41页 |
| 4.3.5 涂覆（001）面及两个相邻的柱面 | 第41-43页 |
| 4.3.6 涂覆（001）面及其中一个柱面 | 第43-44页 |
| 4.3.7 涂覆（001）面并对柱面分段涂覆处理 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 5 不同涂覆情况下KDP晶体Z切片生长动力学 | 第47-54页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 光滑界面生长机制 | 第47-48页 |
| 5.3 实验步骤 | 第48-50页 |
| 5.4 不同涂覆方式下薄表面层动力学参数的实时观测与计算 | 第50-53页 |
| 5.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 6 结论与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录 | 第60页 |
| A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第60页 |
| B. 作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第60页 |
