| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 Cu_2O材料的性质 | 第9-11页 |
| 1.1.1 Cu_2O的物理性质 | 第9-10页 |
| 1.1.2 Cu_2O的化学性质 | 第10-11页 |
| 1.2 Cu_2O的应用领域 | 第11-13页 |
| 1.2.1 异质结薄膜太阳能电池 | 第11-12页 |
| 1.2.2 光催化功能 | 第12页 |
| 1.2.3 气敏传感器 | 第12页 |
| 1.2.4 其它的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 Cu_2O主要的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.4 GaN材料基本性质 | 第14-15页 |
| 1.4.1 GaN晶体结构特性 | 第14-15页 |
| 1.4.2 GaN光学性质 | 第15页 |
| 1.4.3 GaN电学性质 | 第15页 |
| 1.5 GaN薄膜制备技术 | 第15-17页 |
| 1.6 GaN外延薄膜的生长模式 | 第17-18页 |
| 1.7 本文研究内容及意义 | 第18-19页 |
| 2 实验设备与表征方法 | 第19-28页 |
| 2.1 实验设备 | 第19-23页 |
| 2.1.1 磁控溅射设备 | 第19-20页 |
| 2.1.2 ECR-PEMOCVD 设备 | 第20-23页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第23-28页 |
| 2.2.1 表面轮廓仪 | 第23页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第23-24页 |
| 2.2.3 反射高能电子衍射(RHEED) | 第24-25页 |
| 2.2.4 电子扫描显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.2.5 原子力显微镜(AFM) | 第26页 |
| 2.2.6 透射光谱 | 第26页 |
| 2.2.7 光致发光(PL)谱 | 第26-27页 |
| 2.2.8 霍尔(Hall) | 第27页 |
| 2.2.9 电流-电压(Ⅰ-Ⅴ) | 第27-28页 |
| 3 磁控溅射CU_20薄膜及其性能的研究 | 第28-39页 |
| 3.1 O_2流量对Cu_20/玻璃薄膜性能的影响 | 第28-34页 |
| 3.1.1 实验过程及参数 | 第28-29页 |
| 3.1.2 实验结果与分析 | 第29-34页 |
| 3.2 温度对磁控溅射Cu_2O性能的影响 | 第34-38页 |
| 3.2.1 实验过程及参数 | 第34页 |
| 3.2.2 实验结果及分析 | 第34-38页 |
| 3.3 小结 | 第38-39页 |
| 4 TMGa流量对于GaN/Cu_2O/玻璃异质结性能的影响 | 第39-46页 |
| 4.1 实验过程与参数 | 第39-40页 |
| 4.2 实验结果与分析 | 第40-45页 |
| 4.3 小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |