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低维硼结构及其衍生物的纳电子性质研究

摘要第4-5页
abstract第5页
专用术语注释表第8-9页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 纳米结构及其电子效应第9-12页
        1.1.1 纳米结构及其分类第9-10页
        1.1.2 纳电子输运理论基础第10-12页
        1.1.3 纳电子学及其功能应用第12页
    1.2 硼纳米结构及其电子性质第12-14页
    1.3 本文研究内容概述第14-16页
第二章 理论研究基础及计算方法第16-23页
    2.1 引言第16页
    2.2 密度泛函理论第16-19页
        2.2.1 绝热近似第16-17页
        2.2.2 Hartree-Fock近似第17-18页
        2.2.3 Hohenberg-Kohn定理第18-19页
    2.3 纳米结构电子输运性质的计算方法第19-23页
        2.3.1 Landauer理论第19-20页
        2.3.2 非平衡格林函数理论第20-23页
第三章 B_(40)及其过渡金属掺杂结构的自旋电子输运性质研究及调控第23-34页
    3.1 引言第23-24页
    3.2 B_(40)及其过渡金属掺杂结构的自旋电子输运性质第24-28页
        3.2.1 B_(40)掺杂Fe元素的自旋输运性质第25-26页
        3.2.2 B_(40)掺杂Mn元素的自旋输运性质第26-27页
        3.2.3 B_(40)掺杂Ni元素的自旋输运性质第27页
        3.2.4 B_(40)掺杂Co元素的自旋输运性质第27-28页
    3.3 B_(40)掺杂Co元素反常自旋输运性质调控机理第28-33页
        3.3.1 B_(40)及其过渡金属掺杂结构的mulliken电子分布第28-30页
        3.3.2 电极对掺杂过渡金属原子的B_(40)屏蔽作用研究第30-32页
        3.3.3 掺杂过渡金属原子的B_(40)MPSH的研究第32-33页
    3.4 本章小结第33-34页
第四章 二维硼单层纳米结构电子输运性质的研究第34-42页
    4.1 引言第34-35页
    4.2 边缘突起结构间隔对硼纳米带输运性质的影响第35-37页
    4.3 边缘突起结构尺寸对硼纳米带输运性质的影响第37-38页
    4.4 纳米带宽度对硼纳米带输运性质的影响第38-40页
    4.5 硼纳米带输运性质受其边缘形貌影响的分析第40-41页
    4.6 本章小结第41-42页
第五章 掺杂过渡金属的二维硼单层纳米结构自旋输运性质的研究第42-52页
    5.1 引言第42-43页
    5.2 掺杂单过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋输运第43-47页
        5.2.1 掺杂单过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋透射谱第44-46页
        5.2.2 掺杂单过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋极化率第46-47页
    5.3 掺杂双过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋输运第47-50页
        5.3.1 掺杂双过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋透射谱第47-48页
        5.3.2 掺杂双过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋极化率第48-50页
    5.4 掺杂过渡金属原子的硼烯纳米带mulliken电子布居分析第50-51页
    5.5 本章小结第51-52页
第六章 总结与展望第52-54页
    6.1 总结第52-53页
    6.2 展望第53-54页
参考文献第54-58页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第58-59页
附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目第59-60页
致谢第60页

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