摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5页 |
专用术语注释表 | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 纳米结构及其电子效应 | 第9-12页 |
1.1.1 纳米结构及其分类 | 第9-10页 |
1.1.2 纳电子输运理论基础 | 第10-12页 |
1.1.3 纳电子学及其功能应用 | 第12页 |
1.2 硼纳米结构及其电子性质 | 第12-14页 |
1.3 本文研究内容概述 | 第14-16页 |
第二章 理论研究基础及计算方法 | 第16-23页 |
2.1 引言 | 第16页 |
2.2 密度泛函理论 | 第16-19页 |
2.2.1 绝热近似 | 第16-17页 |
2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第17-18页 |
2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
2.3 纳米结构电子输运性质的计算方法 | 第19-23页 |
2.3.1 Landauer理论 | 第19-20页 |
2.3.2 非平衡格林函数理论 | 第20-23页 |
第三章 B_(40)及其过渡金属掺杂结构的自旋电子输运性质研究及调控 | 第23-34页 |
3.1 引言 | 第23-24页 |
3.2 B_(40)及其过渡金属掺杂结构的自旋电子输运性质 | 第24-28页 |
3.2.1 B_(40)掺杂Fe元素的自旋输运性质 | 第25-26页 |
3.2.2 B_(40)掺杂Mn元素的自旋输运性质 | 第26-27页 |
3.2.3 B_(40)掺杂Ni元素的自旋输运性质 | 第27页 |
3.2.4 B_(40)掺杂Co元素的自旋输运性质 | 第27-28页 |
3.3 B_(40)掺杂Co元素反常自旋输运性质调控机理 | 第28-33页 |
3.3.1 B_(40)及其过渡金属掺杂结构的mulliken电子分布 | 第28-30页 |
3.3.2 电极对掺杂过渡金属原子的B_(40)屏蔽作用研究 | 第30-32页 |
3.3.3 掺杂过渡金属原子的B_(40)MPSH的研究 | 第32-33页 |
3.4 本章小结 | 第33-34页 |
第四章 二维硼单层纳米结构电子输运性质的研究 | 第34-42页 |
4.1 引言 | 第34-35页 |
4.2 边缘突起结构间隔对硼纳米带输运性质的影响 | 第35-37页 |
4.3 边缘突起结构尺寸对硼纳米带输运性质的影响 | 第37-38页 |
4.4 纳米带宽度对硼纳米带输运性质的影响 | 第38-40页 |
4.5 硼纳米带输运性质受其边缘形貌影响的分析 | 第40-41页 |
4.6 本章小结 | 第41-42页 |
第五章 掺杂过渡金属的二维硼单层纳米结构自旋输运性质的研究 | 第42-52页 |
5.1 引言 | 第42-43页 |
5.2 掺杂单过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋输运 | 第43-47页 |
5.2.1 掺杂单过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋透射谱 | 第44-46页 |
5.2.2 掺杂单过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋极化率 | 第46-47页 |
5.3 掺杂双过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋输运 | 第47-50页 |
5.3.1 掺杂双过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋透射谱 | 第47-48页 |
5.3.2 掺杂双过渡金属原子的二维硼单层纳米结构的自旋极化率 | 第48-50页 |
5.4 掺杂过渡金属原子的硼烯纳米带mulliken电子布居分析 | 第50-51页 |
5.5 本章小结 | 第51-52页 |
第六章 总结与展望 | 第52-54页 |
6.1 总结 | 第52-53页 |
6.2 展望 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-58页 |
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第58-59页 |
附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第59-60页 |
致谢 | 第60页 |